[实用新型]一种耐基板翘曲的倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种耐基板翘曲的倒装LED芯片，其包括应力缓冲层、衬底、发光结构、一次电极结构、钝化层和二次电极结构；发光结构设于衬底的正面，一次电极结构设于发光结构上，钝化层设于一次电极结构上，二次电极结构设于钝化层上；二次电极结构贯穿钝化层与一次电极结构连接；应力缓冲层设于衬底的背面。实施本实用新型，应力缓冲层可提供与封装应力方向相反的应力，有效降低封装翘曲，使得封装基板平整度高，焊接良率提升，从而提升了倒装LED芯片的整体良率。

技术领域

本实用新型涉及光电子制造技术领域，尤其涉及一种耐基板翘曲的倒装 LED芯片。

背景技术

倒装LED芯片是一种新型LED芯片，其散热性能和光效都比普通正装LED 芯片优异，因此广泛应用于各类照明产品，低阶应用如球泡灯、吸顶灯，高阶应用如车灯、路灯等。倒装LED芯片的封装于传统正装LED芯片相差较大，实现有效的实现封装是倒装LED芯片产业化的关键内容。

倒装LED芯片对于封装基板的平整度要求高，若基板不平，容易使得芯片受损(参图1，由于基板翘曲，应力大，导致钝化层开裂)；同时，基板翘曲也会造成漏电，电压不良等缺陷，使得LED芯片出现异常不良，据统计，采用普通基板时，现有的异常不良率(VF＜5.8V)时可达到15％以上，甚至可达到65％；此外，基板翘曲也容易造成焊接良率低，漏电、死灯的问题。因此，如何加大倒装LED芯片对于不良封装基板的制程窗口，是本领域亟待克服的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种耐基板翘曲的倒装LED芯片，其耐弯曲能力强，可有效降低封装异常不良率。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种耐基板翘曲的倒装LED芯片，其包括应力缓冲层、衬底、发光结构、一次电极结构、钝化层和二次电极结构；

所述发光结构设于所述衬底的正面，所述一次电极结构设于所述发光结构上，所述钝化层设于所述一次电极结构上，所述二次电极结构设于所述钝化层上；所述二次电极结构贯穿所述钝化层与所述一次电极结构连接；

所述应力缓冲层设于所述衬底的背面。

作为上述技术方案的改进，所述应力缓冲层由AlN或BN制成，其厚度为 0.3～6μm。

作为上述技术方案的改进，所述二次电极结构包括依次设于所述钝化层上的连接层、阻挡层、弹性层和粘附层。

作为上述技术方案的改进，所述连接层由Cr或Ti制成，其厚度为2～50nm。

作为上述技术方案的改进，所述阻挡层包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，所述第二阻挡层由Ni制成，所述第一阻挡层和第三阻挡层由Au、 Pt、Ti中的一种制成。

作为上述技术方案的改进，所述第一阻挡层和所述第三阻挡层的厚度为 100～500nm，所述第二阻挡层的厚度为50～200nm。

作为上述技术方案的改进，所述阻挡层依次包括Au层、Ni层和Au层；或

所述阻挡层依次包括Ti层、Ni层和Ti层；或

所述阻挡层依次包括Au层、Ni层和Pt层。

作为上述技术方案的改进，所述弹性层为一层AuSn合金层；或

所述弹性层包括多层Au层、Sn层和AuSn合金层；

所述弹性层的厚度≥2.5μm。

作为上述技术方案的改进，所述粘附层由Au或Pt制成，其厚度为 10～100nm。

作为上述技术方案的改进，所述衬底为蓝宝石，所述二次电极结构平行于所述衬底的易轴方向。

实施本实用新型，具有如下有益效果：