[实用新型]一种单向半导体放电管及双向半导体放电管

说明书

本实用新型涉及半导体保护器件技术领域，尤其涉及一种单向半导体放电管及双向半导体放电管，其中，包括：相互并联的第一TSS器件及第一TVS器件；其中，包括第一半导体衬底，第一半导体衬底上表面设置有一预定深度的第一N型掺杂区，第一半导体衬底下表面设置有一预定深度的第二N型掺杂区；一第一TSS器件区域；一第一TVS器件区域设置于第一TSS器件区域的一侧；第一TSS器件区域与第一TVS器件区域通过第一N型掺杂区及第二N型掺杂区实现并联。有益效果：使得形成有二次回归的特性曲线，且使得在小电流情况下由第一TVS器件区域导通，从而有效降低器件残压，进而消除器件浪涌对后端电路的影响，防止后端电路受到残压影响后损坏。

技术领域

本实用新型涉及半导体保护器件技术领域，尤其涉及一种单向半导体放电管及双向半导体放电管。

背景技术

半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围，半导体放电管其应用范围广泛，可用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等。器件本身吸收浪涌能量保护后级电路不受浪涌损害。器件在通信端口，信号端口得到了广泛的应用，强的浪涌能力低的残压是器件优化的方向。

现有技术中，普遍使用扩散片生产半导体放电管器件时，结构通常为N1P1N2P2结构，如图1所示，或者P21N21P22N22结构，如图2所示。然而这种传统半导体放电管器件的电流电压曲线图不带有二次回扫特性，且无法降低中小电流下的器件残压，如图3所示，横坐标为电压U(单位：伏\V)，纵坐标为电流I(单位：安培\A)。因此，针对上述问题，成为本领域技术人员亟待解决的难题。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种单向半导体放电管及双向半导体放电管。

具体技术方案如下：

本实用新型提供一种单向半导体放电管，其中，包括：

相互并联的第一TSS器件及第一TVS器件；

其中，包括

一P型掺杂的第一半导体衬底，所述第一半导体衬底上表面设置有一预定深度的第一N型掺杂区，所述第一半导体衬底下表面设置有一所述预定深度的第二N型掺杂区；

一第一TSS器件区域；

一第一TVS器件区域，设置于所述第一TSS器件区域的一侧；

所述第一TSS器件区域与所述第一TVS器件区域通过所述第一N型掺杂区及所述第二N型掺杂区实现并联。

优选的，所述第一TSS器件包括一PNP型的第一三极管及一NPN型的第二三极管，所述第一三极管的发射极形成所述第一TSS器件的第一电极，所述第一三极管的基极连接所述第二三极管的集电极并进一步连接所述第一TVS器件的第一电极，所述第一三级管的集电极连接所述第二三极管的基极，所述第二三极管的发射极并联所述第一TVS器件的第二电极。

优选的，所述第一N型掺杂区中设置有至少一个第一P+掺杂区，至少一个所述第一P+掺杂区顶部与所述第一半导体衬底上表面齐平且深度小于所述第一N型掺杂区，每个所述第一P+掺杂区之间具有间隙；

所述第二N型掺杂区中对应至少一个所述第一P+掺杂区的位置，设置有一第一N+++掺杂区，所述第一N+++掺杂区底部与所述第一半导体衬底下表面齐平且高度小于所述第二N型掺杂区；

至少一个所述第一P+掺杂区，所述第一N型掺杂区，所述第一半导体衬底的对应区域形成所述第一三极管；

所述第一N型掺杂区，所述第一半导体衬底的对应区域，所述第二N型掺杂区及所述第一N+++掺杂区形成所述第二三极管。