[实用新型]一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置

说明书

本实用新型公开了一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置，包括有处理池、分别设置于处理池池口两侧的支架、横杆以及上部挂装在横杆上、下部垂入处理池内的工件，支架的底部安装有呈竖向设置的气缸，气缸的活塞杆的端部固定连接有顶杆，顶杆的顶端固定连接有定位座，定位座上设有定位槽，支架的顶部分别安装有对顶杆进行导向的第一导向机构和对定位座进行导向的第二导向机构。本实用新型使得工件在进行表面处理的过程中保持合理的上下运动，能够及时排出气泡，提高了处理效果；并使得反应物能够快速的从工件的表面剥离，保证了处理的彻底性，同时也保证了反应的均匀性和适度性，从而保证了工件的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及TFT-LCD生产加工装置技术领域，具体是一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置。

背景技术

干式刻蚀工艺中的上部电极及CVD(化学气相反应)工艺中的扩散器，表面均布满孔，这些孔作为气体的均匀分散出口，严格的流量要求使得这些孔的尺寸必须一致，且不能有任何异物粘附。一般上部电极均有孔上千个，扩散器甚至以万来计算，在工艺上这些孔都是采用机加工的方式制作的。

这些孔要求精密，不仅要求严格的尺寸，还有粗糙度，不能有加工毛刺。事实上，上部电极和扩散器在加工方面的最大问题就是孔内毛刺，因为孔数量多，很容易检查遗漏，一旦进入加工工艺(干式刻蚀工艺和CVD工艺)流程，在等离子体环境下，毛刺位置会掉落造成微粒不良，尤其是很容易造成电击穿。由于这些TFT-LCD耗材的孔普遍较深，普通的处理方法很难彻底去除。除了在制造端的刀具维护来避免，对于已出现的加工毛刺，普遍采用化学研磨的方式来进行去除，所谓的化学研磨(也称化学抛光)是将零件用浸渍加温的方式，将微观表面的凸起部位通过化学腐蚀的作用首先溶解消除掉，与原来相比，表面凹凸差变小从而使之表面更趋于平滑的过程。

大多采用的是碱蚀刻来实现，即使用碱溶液对上部电极和扩散器(铝材)进行蚀刻处理，使表面更均一、光滑，同时去除一些加工的痕迹，比如挤压纹、伤痕以及加工毛刺等。

为此，通常设置一个装有碱溶液的处理池，在处理池池口的两侧分别设置支架，两侧支架之间架设一个横杆，将待处理的工件(即上部电极或扩散器，下同)的上部挂装到该横杆上，将工件的下部垂入处理池中，并浸入碱溶液中，通过碱溶液对工件进行蚀刻处理，以去除挤压纹、伤痕以及加工毛刺等。在处理过程中，经过反应，工件表面均布的孔内会产生有气泡，若不及时排出，必然会影响到处理效果；另外，由于工件浸入碱溶液后基本保持静止状态，因此在处理过程中，反应产生的金属氧化物不易从工件的表面剥离，一方面无法得到彻底处理，另一方面会导致处理过程被延长，导致处理过度，从而导致工件报废。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术存在的缺陷和不足，提供一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置，能够使得工件在处理过程中保持合理的上下运动，来及时排出气泡，提高处理效果；并使得反应物能够快速的从工件的表面剥离，来保证处理的彻底性和反应的均匀性和适度性，以保证工件的使用寿命。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置，包括有处理池、分别设置于处理池池口两侧的支架、横杆以及上部挂装在横杆上、下部垂入处理池内的工件，其特征在于：所述支架的底部安装有呈竖向设置的气缸，所述气缸的活塞杆的端部固定连接有顶杆，顶杆的顶端固定连接有定位座，所述的定位座上设有定位槽，所述支架的顶部分别安装有对所述顶杆进行导向的第一导向机构和对所述定位座进行导向的第二导向机构；所述的横杆架设在两侧的所述定位座上的定位槽内，所述气缸的活塞杆周期性伸缩，带动所述的工件在所述处理池内周期性升降。

进一步的，所述气缸的活塞杆的端部设有外螺纹，所述顶杆的下端设有螺孔，顶杆通过螺纹配合固定连接在所述气缸的活塞杆的端部。

进一步的，所述的顶杆均采用不锈钢镀铬轴。