[实用新型]高性能MOSFET过压保护芯片有效
| 申请号： | 202022371450.5 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN212934597U | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 郭力 | 申请（专利权）人： | 无锡力神微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/467 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 任娜娜 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 mosfet 保护 芯片 | ||
1.高性能MOSFET过压保护芯片，包括芯片本体(1)，所述芯片本体(1)侧表面固定有接线针脚(4)，其特征在于：所述芯片本体(1)上固定有导热硅胶块(2)，所述导热硅胶块(2)内侧设置有凸块(9)，所述凸块(9)与芯片本体(1)通过焊接固定，所述导热硅胶块(2)上表面固定有导热铜片(3)，所述导热铜片(3)上一体成型有导热凸起，所述导热硅胶块(2)上表面对应于导热凸起开设有第二通风孔(6)，所述导热硅胶块(2)一侧表面开设有第一通风孔(5)，所述第一通风孔(5)贯穿导热硅胶块(2)及凸块(9)，所述芯片本体(1)侧表面设置有绝缘橡胶(7)。
2.根据权利要求1所述的高性能MOSFET过压保护芯片，其特征在于：所述导热硅胶块(2)及导热铜片(3)均设置有两处，另一处所述导热硅胶块(2)位于芯片本体(1)下表面。
3.根据权利要求1所述的高性能MOSFET过压保护芯片，其特征在于：所述导热硅胶块(2)厚度为五毫米到三十五毫米，所述凸块(9)沿芯片本体(1)长度方向等距设置有多个。
4.根据权利要求1所述的高性能MOSFET过压保护芯片，其特征在于：所述第二通风孔(6)横截面为半圆形，所述导热凸起数量是第二通风孔(6)数量的二倍。
5.根据权利要求1所述的高性能MOSFET过压保护芯片，其特征在于：所述绝缘橡胶(7)内侧设置有微孔(8)，所述微孔(8)内径为零点八毫米到五毫米。
6.根据权利要求1所述的高性能MOSFET过压保护芯片，其特征在于：所述绝缘橡胶(7)横截面为“L”字型，所述绝缘橡胶(7)设置有多个。
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