[实用新型]高性能MOSFET过压保护芯片

说明书

本实用新型公开了高性能MOSFET过压保护芯片，包括芯片本体，所述芯片本体侧表面固定有接线针脚，所述芯片本体上固定有导热硅胶块，所述导热硅胶块内侧设置有凸块，所述凸块与芯片本体通过焊接固定，所述导热硅胶块上表面固定有导热铜片，所述导热铜片上一体成型有导热凸起，所述导热硅胶块上表面对应于导热凸起开设有第二通风孔；通过设置有导热硅胶块、导热铜片、第二通风孔、第一通风孔及凸块，便于避免芯片本体自身与外侧自然风接触面积小，自身散热效果差，便于提高风冷效果，通过设置有绝缘橡胶及微孔，便于避免两个接线针脚之间发生接触短路，便于对两个接线针脚进行隔绝。

技术领域

本实用新型属于芯片技术领域，具体涉及高性能MOSFET过压保护芯片。

背景技术

芯片在电子学中是一种将电路(主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上，MOSFET过压保护芯片是指被保护线路电压超过预定的最大值时，使电源断开或使受控设备电压降低的一种保护芯片，便于保障电路的安全性，具有性能优越，使用稳定性好的优点。

现有的高性能MOSFET过压保护芯片在使用过程中，芯片本体外表面较为光滑，与外侧自然风接触面积少，在长时间工作过程中，不便于很好的对自身热量向外侧进行散发，可能会发生热疲劳损坏，影响芯片使用寿命，另外两个接线针脚距离较近，会造成两个接线针脚接触，导致短路，为此我们提出高性能MOSFET过压保护芯片。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供高性能MOSFET过压保护芯片，以解决上述背景技术中提出现有的高性能MOSFET过压保护芯片在使用过程中，芯片本体外表面较为光滑，与外侧自然风接触面积少，在长时间工作过程中，不便于很好的对自身热量向外侧进行散发，可能会发生热疲劳损坏，影响芯片使用寿命，另外两个接线针脚距离较近，会造成两个接线针脚接触，导致短路的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：高性能MOSFET过压保护芯片，包括芯片本体，所述芯片本体侧表面固定有接线针脚，所述芯片本体上固定有导热硅胶块，所述导热硅胶块内侧设置有凸块，所述凸块与芯片本体通过焊接固定，所述导热硅胶块上表面固定有导热铜片，所述导热铜片上一体成型有导热凸起，所述导热硅胶块上表面对应于导热凸起开设有第二通风孔，所述导热硅胶块一侧表面开设有第一通风孔，所述第一通风孔贯穿导热硅胶块及凸块，所述芯片本体侧表面设置有绝缘橡胶。

优选的，所述导热硅胶块及导热铜片均设置有两处，另一处所述导热硅胶块位于芯片本体下表面。

优选的，所述导热硅胶块厚度为五毫米到三十五毫米，所述凸块沿芯片本体长度方向等距设置有多个。

优选的，所述第二通风孔横截面为半圆形，所述导热凸起数量是第二通风孔数量的二倍。

优选的，所述绝缘橡胶内侧设置有微孔，所述微孔内径为零点八毫米到五毫米。

优选的，所述绝缘橡胶横截面为“L”字型，所述绝缘橡胶设置有多个。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

(1)通过设置有导热硅胶块、导热铜片、第二通风孔、第一通风孔及凸块，便于避免芯片本体自身与外侧自然风接触面积小，自身散热效果差，便于提高风冷效果，降低芯片本体长时间工作造成的热疲劳损坏。

(2)通过设置有绝缘橡胶及微孔，便于避免两个接线针脚之间发生接触短路，便于对两个接线针脚进行隔绝，结构简单，增大了装置的实用性。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的图1的俯视结构示意图；

图3为本实用新型的图1的A处剖视结构示意图；

图4为本实用新型的绝缘橡胶结构示意图；