[实用新型]静电卡盘结构和蚀刻设备有效
申请号: | 202022374618.8 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN213124406U | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 林帅;苏财钰;张涛;张彬彬;苟先华 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵静 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 结构 蚀刻 设备 | ||
1.一种静电卡盘结构,其特征在于,包括:
电源;
静电卡盘,其中,所述静电卡盘的放置面被配置为允许放置至少两种尺寸的晶圆,所述静电卡盘的所述放置面上设置有至少两个第一电极和至少两个第二电极,所述第一电极被配置为允许与所述电源的一端连接,所述第二电极被配置为允许与所述电源的另一端连接;
其中,在所述静电卡盘的所述放置面上放置有第一尺寸的第一晶圆的情况下,所述至少两个第一电极中的预定数量的所述第一电极与所述电源的一端连通,以及所述至少两个第二电极中的所述预定数量的所述第二电极与所述电源的另一端连通,且所述预定数量的所述第一电极和所述第二电极共同与所述第一晶圆接触的面积与所述第一晶圆的所述第一尺寸匹配。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘结构,其特征在于,所述静电卡盘结构还包括:
盖环,所述盖环用于遮盖所述静电卡盘上放置晶圆的表面上未与所述电源连通的所述第一电极和所述第二电极对应的部分。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘结构,其特征在于,所述盖环包括第一盖体和第二盖体,其中,所述第一盖体用于遮盖所述静电卡盘上放置晶圆的表面上未与所述电源连通的所述第一电极对应的部分,所述第二盖体用于遮盖所述静电卡盘上放置晶圆的表面上未与所述电源连通的所述第二电极对应的部分。
4.根据权利要求2所述的静电卡盘结构,其特征在于,所述盖环的材质为陶瓷。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘结构,其特征在于,所述静电卡盘结构还包括控制电路,其中,所述控制电路用于同时切换与所述电源连通的所述第一电极和与所述电源连通的所述第二电极的正负极性。
6.根据权利要求5所述的静电卡盘结构,其特征在于,所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路,其中,
所述第一电极通过所述第一控制电路与所述电源连接,所述第一控制电路用于切换所述第一电极连接的所述电源的端口;
所述第二电极通过所述第二控制电路与所述电源连接,所述第二控制电路用于切换所述第二电极连接的所述电源的端口。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘结构,其特征在于,所述静电卡盘结构还包括第一开关和第二开关,其中,所述第一开关设置在所述第一电极与所述电源连接的连接线上,所述第二开关设置在所述第二电极与所述电源连接的连接线上。
8.根据权利要求7所述的静电卡盘结构,其特征在于,所述静电卡盘结构还包括:
控制器,所述控制器用于在检测到所述静电卡盘的所述放置上放置有所述第一晶圆的情况下,确定所述第一晶圆的所述第一尺寸,并控制所述预定数量的所述第一电极与所述电源的一端连通,以及控制所述至少两个第二电极中的所述预定数量的所述第二电极与所述电源的另一端连通。
9.根据权利要求8所述的静电卡盘结构,其特征在于,所述控制器与所述第一开关和所述第二开关连接,用于控制所述第一开关和所述第二开关的开合状态,以控制所述预定数量的所述第一电极与所述电源的一端连通,以及控制所述至少两个第二电极中的所述预定数量的所述第二电极与所述电源的另一端连通。
10.一种蚀刻设备,其特征在于,所述蚀刻设备包括如权利要求1至9中任一项所述的静电卡盘结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造