[实用新型]静电卡盘结构和蚀刻设备有效
申请号: | 202022374618.8 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN213124406U | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 林帅;苏财钰;张涛;张彬彬;苟先华 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵静 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 结构 蚀刻 设备 | ||
本实用新型涉及一种静电卡盘结构和蚀刻设备,该静电卡盘结构包括:静电卡盘,其中,静电卡盘的放置面被配置为允许放置至少两种尺寸的晶圆,静电卡盘的放置面上设置有至少两个第一电极和至少两个第二电极,第一电极被配置为允许与电源的一端连接,第二电极被配置为允许与电源的另一端连接。通过本实用新型,实现了单片单腔设备可以生产多种尺寸晶圆的效果,有效解决相关技术中存在的更换时间长,产能效率低的问题。
技术领域
本实用新型涉及蚀刻领域,尤其涉及一种静电卡盘结构和蚀刻设备。
背景技术
在相关技术中,可以利用生产设备对晶圆进行处理,例如,利用蚀刻设备对晶圆进行蚀刻,目前,常规的蚀刻设备是单片单腔蚀刻机台,目前市场上一台机台只能蚀刻一种规格的产品,也就是说,一台单腔蚀刻机台智能蚀刻一种尺寸的晶圆。
若需要生产其他尺寸的晶圆时,需要更换生成设备,从而增加了更换时间,导致产能效率降低。
因此,如何节省更换时间以及提高产能效率是亟需解决的问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种静电卡盘结构和蚀刻设备,旨在解决如何节省更换时间以及提高产能效率是亟需解决的问题。
一种静电卡盘结构,包括:电源;静电卡盘,其中,所述静电卡盘的放置面被配置为允许放置至少两种尺寸的晶圆,所述静电卡盘的所述放置面上设置有至少两个第一电极和至少两个第二电极,所述第一电极被配置为允许与所述电源的一端连接,所述第二电极被配置为允许与所述电源的另一端连接;其中,在所述静电卡盘的所述放置面上放置有第一尺寸的第一晶圆的情况下,所述至少两个第一电极中的预定数量的所述第一电极与所述电源的一端连通,以及所述至少两个第二电极中的所述预定数量的所述第二电极与所述电源的另一端连通,且所述预定数量的所述第一电极和所述第二电极共同与所述第一晶圆接触的面积与所述第一晶圆的所述第一尺寸匹配。
在上述实施例中,静电卡盘结构中配置了多个第一电极和第二电极,并且不同的第一电极和第二电极的组合可以支持生产不同尺寸的晶圆,通过切换与电源连接的第一电极和第二电极可以实现切换生产不同尺寸的晶圆,从而可以实现在不更换下电极的情况下快速切换生产不同尺寸晶圆,实现了单片单腔设备可以生产多种尺寸晶圆的效果,有效解决相关技术中存在的更换时间长,产能效率低的问题。
可选地,所述静电卡盘结构还包括:盖环,所述盖环用于遮盖所述静电卡盘上放置晶圆的表面上未与所述电源连通的所述第一电极和所述第二电极对应的部分。
在上述实施例中,盖环的材质为绝缘材质,通过盖环遮盖未连通电源的第一电极和第二电极,可以有效防止击穿(arcing)造成的静电卡盘损伤的问题。
可选地,所述盖环包括第一盖体和第二盖体,其中,所述第一盖体用于遮盖所述静电卡盘上放置晶圆的表面上未与所述电源连通的所述第一电极对应的部分,所述第二盖体用于遮盖所述静电卡盘上放置晶圆的表面上未与所述电源连通的所述第二电极对应的部分。
可选地,所述盖环的材质为陶瓷。
可选地,所述静电卡盘结构还包括控制电路,其中,所述控制电路用于同时切换与所述电源连通的所述第一电极和与所述电源连通的所述第二电极的正负极性。
通过上述实施例,在需要释放晶圆时,可以通过切换第一电极和第二电极的正负极性来消除晶圆上的静电电荷以及静电电荷带来的残余引力,从而达到释放晶圆的目的。
可选地,所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路,其中,所述第一电极通过所述第一控制电路与所述电源连接,所述第一控制电路用于切换所述第一电极连接的所述电源的端口;所述第二电极通过所述第二控制电路与所述电源连接,所述第二控制电路用于切换所述第二电极连接的所述电源的端口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造