[实用新型]一种具有预置初值功能的串并转换移位寄存器有效
申请号: | 202022402595.7 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN213243977U | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 张玉枚;张薇;邢康伟;刘刚 | 申请(专利权)人: | 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙) 11462 | 代理人: | 李超 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 预置 初值 功能 转换 移位寄存器 | ||
1.一种具有预置初值功能的串并转换移位寄存器,其特征在于,包括:
多级寄存器单元,每级寄存器单元包括第一D型锁存器、第二D型锁存器、三态控制电路和时钟电路;第一D型锁存器的数据输出端与第二D型锁存器的数据输入端相连;
所述三态控制电路具有三态控制端EN和数据输入端Den,用于对移位寄存器单元预设初值;
所述三态控制电路包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、与非门、或非门、PMOS晶体管和NMOS晶体管;三态控制端EN经第一反相器连接至与非门的第一输入端和第三反相器的输入端,数据输入端Den经第二反相器连接至与非门的第二输入端和或非门的第二输入端,与非门的输出端连接至PMOS晶体管的栅极,或非门的输出端连接至NMOS晶体管的栅极,PMOS晶体管和NMOS晶体管的源极分别接电源和地,PMOS晶体管和NMOS晶体管的漏极共同连接至第一D型锁存器的数据输入端。
2.根据权利要求1所述的串并转换移位寄存器,其特征在于:
第一D型锁存器中的第一或非门的第二输入端为异步置位端,第二或非门的第二输入端为异步复位端;第二D型锁存器中的第一或非门的第二输入端为异步复位端,第二或非门的第二输入端为异步置位端。
3.根据权利要求1所述的串并转换移位寄存器,其特征在于:
多级寄存器单元的时钟信号端、异步置位端和异步复位端分别连接在一起;除最后一级外的每级寄存器单元的数据输出端接入下一级寄存器单元的数据输入端;每级的输出端作为多个并行输出端之一。
4.根据权利要求1所述的串并转换移位寄存器,其特征在于:
所述D型锁存器包括第一传输门、第二传输门、第一或非门、第二或非门和RC滤波电路;数据输入端经第一传输门、RC滤波电路与第一或非门的第一输入端相连,第一或非门的输出端与第二或非门的第一输入端相连,第二或非门的输出端经第二传输门连接至第一或非门的第一输入端;第一传输门、第二传输门的控制端信号由时钟电路提供。
5.根据权利要求4所述的串并转换移位寄存器,其特征在于:
所述RC滤波电路包括电阻和电容;第一传输门的输出端经RC滤波电路的电阻与第一或非门的第一输入端相连;电容一端连接至第一传输门的输出端,另一端接地。
6.根据权利要求1所述的串并转换移位寄存器,其特征在于:所述寄存器单元的MOS管的栅长为3μm至5.5μm。
7.根据权利要求6所述的串并转换移位寄存器,其特征在于:所述MOS管的栅氧化层厚度小于或等于500埃。
8.根据权利要求6所述的串并转换移位寄存器,其特征在于:所述MOS管采用六边形封闭环形栅极结构。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的串并转换移位寄存器,其特征在于:
所述多级寄存器单元被配置为阵列式排布,且时钟电路产生的时钟信号与数据输入信号的传输方向被配置为相反。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的串并转换移位寄存器,其特征在于:
时钟电路产生的时钟信号与所述多级寄存器之间的传输路径被配置为:从最后一级寄存器至第一级寄存器等间隔递减。
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