[实用新型]一种绝缘栅双极晶体管终端有效
申请号: | 202022416606.7 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN213150781U | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 尹江龙;章剑锋;向军利 | 申请(专利权)人: | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 赵秀芹 |
地址: | 330052 江西省南昌市南昌县*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 绝缘 双极晶体管 终端 | ||
1.一种绝缘栅双极晶体管终端,其特征在于,包括:
第一导电类型的衬底;
位于所述衬底靠近第一表面侧的主结、浮动环、沟道截断环、氧化层;
以及与所述第一表面相对的场截止层;
所述浮动环设置在所述主结和所述沟道截断环之间;
所述浮动环与所述主结的间距为预设间距,所述预设间距用于使所述绝缘栅双极晶体管的击穿位置在所述浮动环上。
2.根据权利要求1所述的终端,其特征在于,所述浮动环为多个。
3.根据权利要求2所述的终端,其特征在于,所述主结与第一浮动环的间距为预设间距,所述第一浮动环是所有所述浮动环中与所述主结的间距最大的浮动环。
4.根据权利要求1所述的终端,其特征在于,所述第一导电类型为N型;所述主结、所述浮动环均为P型;所述沟道截断环为N型。
5.根据权利要求2所述的终端,其特征在于,所述浮动环与所述主结之间、任意两个所述浮动环之间均不相接。
6.根据权利要求1所述的终端,其特征在于,所述终端还包括P型重掺杂层;
所述P型重掺杂层位于所述衬底靠近第二表面侧,并与所述场截止层的下表面相接。
7.根据权利要求1所述的终端,其特征在于,所述主结、所述浮动环、所述沟道截断环均设置在所述氧化层靠近所述衬底的表面侧。
8.根据权利要求6所述的终端,其特征在于,所述终端还包括金属层,所述金属层设置于所述主结在所述氧化层的覆盖区内。
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