[实用新型]化学气相沉积反应腔

说明书

本实用新型所提供的化学气相沉积反应腔，为一种面下型(Face Down)反应腔，能使基板(晶圆)以反应面朝下的方式与反应气体进行接触，让粉尘因为重力关往下沉降而不容易附着于基板的反应面，以改善因粉尘飘散而造成的良率损失问题。其次，而为了达到高产能力，本实用新型在化学气相沉积反应腔之中设置便于自动化生产作业的基板承载装置，以使基板的放置、收取更为便捷，进而达到高产量能力的效果。再者，基板承载装置还能导入气浮气体，以使基板悬浮与旋转，让基板的受热效果更为均匀与精确，进而改善基板成膜效果更不均的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体化学气相沉积设备技术领域，特别是涉及一种化学气相沉积反应腔。

背景技术

化学气相沉积为一种在基板(晶圆)的反应面，形成薄膜的重要手段，其将基板固定在一反应腔中，对基板加热并使基板的反应面与反应气体接触而形成薄膜。在此制程中，若产生的粉尘若飘散于反应面，就会造成良率下降的问题，而影响生产质量。

其次，在高温低压的气相沉积制程中，基板的反应面与反应气体的接触是否均匀，基板的反应面的加热温度是精准与均匀，都会直接影响薄膜形成的质量。再者，基板置入反应腔后的定位方式也影响薄膜的行程质量，而薄膜形成后的取出方式是否便于通过自动化设备执行，也是影响基板的产能的主要因素。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，在提供一种化学气相沉积反应腔，以供基板以反应面朝下的方式进行化学气相沉积反应，使基板获得良好均匀的加热效果，并能够进一步配合自动化生产作业，达到高产量能力的效果。为达此一目的，本实用新型化学气相沉积反应腔包含：一腔体；一上加热模块，设置在腔体内的上部；一基板承载装置，设置在腔体内对应于上加热模块下方的位置，用于承载至少一基板并包含至少一碟盘、一下大盘以及一上大盘，碟盘具有一上方开放的基板槽以供基板以反应面朝下的方式置入，基板槽下方设有一反应口以供基板的反应面裸露，下大盘具有至少一个上方开放的碟盘槽以供碟盘置入，碟盘槽下方设有一底口以供反应面裸露，上大盘遮盖于下大盘的上方并将碟盘槽上方封闭，上大盘的半径大于下大盘；一升降筒暨废气收集环，连接于下大盘以支撑并带动基板承载装置升降及旋转，并收集反应后的废气；一喷头，设置在腔体内以释出反应气体；以及一止挡单元，设置在腔体内壁，使得上大盘的边沿于升降筒暨废气收集环下降至预设高度时被止挡单元拦阻而分离于下大盘，待升降筒暨废气收集环下降至最低位置时，碟盘槽的上方以及基板槽的上方呈现裸露状态；腔体的侧壁设有至少一取放口，升降筒暨废气收集环上升至最高位置时遮蔽取放口，升降筒暨废气收集环下降至最低位置时开放取放口。

实施时，碟盘槽设有一环槽沟，碟盘设有一入于环槽沟的对接部，环槽沟内设有一环状气浮通道；环状气浮通道以切线方向衔接一入气引道，此入气引道与升降筒暨废气收集环上的供气管道相连以引入气浮气体施力于对接部，使碟盘悬浮及旋转；环槽沟衔接于一第一泄出口，以供气浮气体排出。

实施时，以气浮气体的引入流量大小控制碟盘的悬浮高度。

实施时，基板上方与上大盘的间保持一受热间距，受热间距至少为基板生成薄膜过程产生翘曲规模的20倍。

实施时，上大盘设有一第二泄出口与第一泄出口衔接。

实施时，基板槽内壁边沿设有若干承载指以承托基板的边沿，承载指的顶面朝向基板槽中心倾斜。

实施时，化学气相沉积反应腔进一步包含一下加热模块，下加热模块设置在腔体下方。

实施时，升降筒暨废气收集环带动基板承载装置旋转。

实施时，上大盘对应于碟盘上方的位置设置一曲面传导区。

相较于先前技术，本实用新型所提供关于化学气相沉积反应腔的技术手段，能提供基板较佳的产品良率，并且有利于自动化生产而提高产能。

附图说明

图1为本实用新型较佳实施例的化学气相沉积反应腔半剖面示意图；