[实用新型]具有吹扫气流通道的气体喷射器

说明书

本实用新型为一种具有吹扫气流通道的气体喷射器，包括一机台及一气体喷射头，机台上设有气流凹槽，其周围环设有复数晶圆承载凹槽。气体喷射头则位于气流凹槽上，气体喷射头中央设置有吹扫气流通道，且吹扫气流通道突出于气体喷射头底部，以喷出垂直气流至气流凹槽，令垂直气流撞击气流凹槽后转换为水平气流，使水平气流能喷射至周围晶圆承载凹槽内的晶圆的边角。本实用新型的吹扫气流通道具吹扫或清洁蚀刻的功能，且吹扫气流通道突出于气体喷射头底部，搭配机台的气流凹槽的内凹结构，能有效扫除晶圆边缘的粉尘及沉积物，提升产品制造合格率。

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆镀覆的技术，特别是一种具有吹扫气流通道的气体喷射器。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体制程技术也变得更加成熟，使得更多半导体组成的电子装置可被做的更佳精巧，功能变得更多。

半导体元件的制程会经过黄光、蚀刻、扩散再进入到薄膜的生成。半导体晶圆在薄膜沉积制程中，系将晶圆设置在真空反应腔内的晶圆承载系统上，以利用气体喷射器将反应的气体水平喷射至晶圆上，以利用加热至高温500℃以上引起的物理或化学反应，从而在晶圆上沉积薄膜。

目前的喷射器的设计系令气源气体以水平的方式360度环绕喷出，因此在沉积薄膜时易具有气流死角，如晶圆的侧边上缘为接触气体的前端，因此特别容易积生反应物，时间一久容易有粉尘堆积。且此区为薄膜成膜区的气上游区段，一但有粉尘生成，粉尘就容易随着气流吹散到整片晶圆表面，令晶片形成粉尘颗粒缺陷，影响到制程合格率。

除此之外，在沉积的过程中，为避免对晶圆加热时，气体喷射器受高温的影响，过去会在气体喷射器的喷气管外缘设置水冷设备，以降低气体喷射器的温度。但这种方式水冷设备仅能包覆到最外层的喷气管，并无法有效冷却气体喷射器内层的喷气管，造成整体控温效果不佳。

有鉴于此，本实用新型遂针对上述现有技术的缺失，提出一种具有吹扫气流通道的气体喷射器，以有效克服上述的该复数问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在提供一种具有吹扫气流通道的气体喷射器，其气体喷射头具有吹扫气流通道可作为吹扫流道或清洁蚀刻流道，且吹扫气流通道突出于气体喷射头底部，以搭配机台的气流凹槽的内凹结构，能有效扫除晶圆边缘的粉尘及沉积物，提升产品制造合格率。

本实用新型的另一目的在提供一种具有吹扫气流通道的气体喷射器，其可令每一排气管浸泡于冷却液中，以达到整体排气管控温的效果。

本实用新型的再一目的在提供一种具有吹扫气流通道的气体喷射器，其通过隔板的设置可令冷却水只往单一方向流动，能避免冷却水回流，以大幅提升冷却的功效。

为达上述的目的，本实用新型提供一种具有吹扫气流通道的气体喷射器，包括一机台上设有气流凹槽，且气流凹槽周围更环设有复数晶圆承载凹槽。一气体喷射头设置于气流凹槽上，气体喷射头中央设置有至少一吹扫气流通道，且吹扫气流通道突出于气体喷射头底部，以喷出垂直气流在气流凹槽内，令垂直气流撞击气流凹槽后转换为水平气流，使其喷射至周围复数晶圆承载凹槽内的晶圆的边角。

在本实施例中，气体喷射头更包括一喷射壳体及复数排气管，喷射壳体内部环设有复数层冷却室，且每一冷却室的侧壁顶部设有至少一溢流开口，以连通相邻的冷却室，吹扫气流通道设置在最内层的冷却室中。复数排气管分别设置在复数冷却室中，且排气管的开口外露于喷射壳体外。

在本实施例中，每一冷却室底部更设有一气体引流盘，垂直于复数排气管的开口，以引流排气管排出的气体，且气体引流盘内具一溢流空间，溢流空间连通冷却室。

在本实施例中，每一冷却室中更设有至少一隔板，以分隔冷却室。