[实用新型]可控硅芯片

权利要求书

1.一种可控硅芯片，其特征在于，包括：

基区，所述基区为P型掺杂或N型掺杂，所述基区具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

第一注入区，位于所述基区的第一表面，所述第一注入区为与所述基区掺杂类型对应的N型掺杂或P型掺杂；

第二注入区，位于所述基区的第二表面，所述第二注入区为与所述基区掺杂类型对应的N型掺杂或P型掺杂；

第三注入区，位于所述第二注入区的部分表面，所述第三注入区是与所述第二注入区掺杂类型对应的P型掺杂或N型掺杂；

所述第一注入区的表面上设有阳极电极A，所述第二注入区的其余部分表面上设有门极电极G，所述第三注入区的表面设有阴极电极K；其中，所述门极电极G与所述阴极电极K朝向相同，高度低于所述阴极电极K，且所述门极电极G上具有凹槽。

2.如权利要求1所述的可控硅芯片，其特征在于，所述凹槽的深度不小于100μm。

3.如权利要求1所述的可控硅芯片，其特征在于，所述凹槽为通孔。

4.如权利要求1所述的可控硅芯片，其特征在于，所述门极电极G的高度与所述阴极电极K的高度差大于50μm。

5.如权利要求1所述的可控硅芯片，其特征在于，所述凹槽的横截面形状为圆形、多边形或十字形；所述凹槽的纵切面为倒置梯形。

6.如权利要求1所述的可控硅芯片，其特征在于，还包括沟槽区，所述沟槽区环绕所述门极电极G以及所述阴极电极K的外围设置，或者，环绕所述阳极电极A的外围设置；所述沟槽区上还具有钝化层。

7.如权利要求1所述的可控硅芯片，其特征在于，所述阳极电极A、所述阴极电极K以及所述门极电极G的表面具有镀银层。

8.如权利要求1所述的可控硅芯片，其特征在于，所述第三注入区中具有多个短路点，所述短路点是所述第三注入区的组成部分。

9.如权利要求1所述的可控硅芯片，其特征在于，所述阳极电极A与所述第一注入区的表面之间具有焊层；所述门极电极G与所述第二注入区的其余部分表面之间具有焊层；所述阴极电极K与所述第三注入区的表面之间具有焊层。

10.如权利要求9所述的可控硅芯片，其特征在于，所述基区为N型掺杂，所述第一注入区为P型掺杂，所述第一注入区表面还具有一层P⁺扩散层，所述第二注入区为P型掺杂，所述第三注入区为N型重掺杂；所述焊层为金属焊层；还具有绝缘保护层，沿所述可控硅芯片的一周环绕设置，用于保护所述可控硅芯片的内部结构。