[实用新型]可控硅芯片

说明书

一种可控硅芯片，包括基区、第一注入区、第二注入区、第三注入区、所述第一注入区表面上的阳极电极A、第二注入区部分表面上的门极电极G以及第三注入区表面上的阴极电极K，其中，所述门极电极G与所述阴极电极K朝向相同，高度低于所述阴极电极K，且所述门极电极G上具有凹槽。由于凹槽的存在，保障了整体的门极电极G不会高于阴极电极K，使得门极电极G不会被轻易的磕碰损坏，当焊接引线之后，门极电极G上的引线也不容易被碰掉，更加牢固。并且凹槽为该可控硅芯片焊接时提供了一个引线定位槽，提高了可控硅芯片门极电极外部引线焊接的高效性和稳定性。

技术领域

本实用新型属于半导体制造技术领域，具体涉及一种可控硅芯片。

背景技术

可控硅广泛应用于交流无触点开关、家用电器控制电路、工业控制等领域。大功率半导体芯片可控硅一般都设有上下电极，在焊接引线时，由于焊料较厚易产生应力导致硅裂，容易使门极损坏，使得器件的稳定性不能得到保证。同时，由于门极与阴极的距离较近，且门极的面积较小，无法快速准确的焊接。

因此，需要提供一种可控硅芯片，利于提高芯片门极外部引线焊接的高效和稳定。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是如何提供一种利于提高芯片门极外部引线焊接的高效和稳定的可控硅芯片结构。

根据第一方面，一种实施例中提供一种可控硅芯片，包括：

基区，所述基区为P型掺杂或N型掺杂，所述基区具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

第一注入区，位于所述基区的第一表面，所述第一注入区为与所述基区掺杂类型对应的N型掺杂或P型掺杂；

第二注入区，位于所述基区的第二表面，所述第二注入区为与所述基区掺杂类型对应的N型掺杂或P型掺杂；

第三注入区，位于所述第二注入区的部分表面，所述第三注入区是与所述第二注入区掺杂类型对应的P型掺杂或N型掺杂；

所述第一注入区的表面上设有阳极电极A，所述第二注入区的其余部分表面上设有门极电极G，所述第三注入区的表面设有阴极电极K；其中，所述门极电极G与所述阴极电极K朝向相同，高度低于所述阴极电极K，且所述门极电极G上具有凹槽。

一些实施例中，所述凹槽的深度不小于100μm。

一些实施例中，所述凹槽为通孔。

一些实施例中，所述门极电极G的高度与所述阴极电极K的高度差大于50μm。

一些实施例中，所述凹槽的横截面形状为圆形、多边形或十字形；所述凹槽的纵切面为倒置梯形。

一些实施例中，还包括沟槽区，所述沟槽区环绕所述门极电极G以及所述阴极电极K的外围设置，或者，环绕所述阳极电极A的外围设置；所述沟槽区上还具有钝化层。

一些实施例中，所述阳极电极A、所述阴极电极K以及所述门极电极G的表面具有镀银层。

一些实施例中，所述第三注入区中具有多个短路点，所述短路点是第三注入区的组成部分。

一些实施例中，所述阳极电极A与所述第一注入区的表面之间具有焊层；所述门极电极G与所述第二注入区的其余部分表面之间具有焊层；所述阴极电极K与所述第三注入区的表面之间具有焊层。

一些实施例中，所述基区为N型掺杂，所述第一注入区为P型掺杂，所述第一注入区表面还具有一层P⁺扩散层，所述第二注入区为P型掺杂，所述第三注入区为N型重掺杂；所述焊层为金属焊层；还具有绝缘保护层，沿所述可控硅芯片的一周环绕设置，用于保护所述可控硅芯片的内部结构。