[实用新型]发光器件和显示装置有效
申请号: | 202022433812.9 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN214625093U | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 何宝轲;李端明;郜明浩;孙泉钦;黄冠军;张钦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张海强 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 显示装置 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括:
发光单元,位于背板的一侧;和
封装层,位于所述发光单元远离所述背板的一侧,包括:
第一无机层,
第二无机层,位于所述第一无机层远离所述背板的一侧,
有机层,位于所述第一无机层和所述第二无机层之间,和
第三无机层,位于所述第一无机层和所述有机层之间,
其中,所述第一无机层的折射率、所述第三无机层的折射率和所述有机层的折射率依次减小。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第三无机层包括至少一个层,所述至少一个层中的每一层的折射率为n1,所述第一无机层、所述至少一个层和所述有机层中与所述至少一个层中的每一层相邻的两层的折射率为n2和n3,(n1)2与(n2×n3)之间的差值的绝对值大于或等于0、且小于0.1。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述至少一个层仅包括一个层。
4.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述至少一个层中的每一层的厚度d=(2K+1)*λ/4,K为整数,λ为所述发光单元发出的光的波长。
5.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一无机层、所述至少一个层和所述有机层中的相邻两层的折射率的差值的绝对值的范围为0.01至0.1。
6.根据权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述至少一个层中的每一层的折射率范围为1.45至1.76。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述至少一个层包括:
第一层,所述第一层的折射率范围为1.57至1.76;和
第二层,位于所述第一层和所述有机层之间,所述第二层的折射率范围为1.45至1.55。
8.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于:
所述第一无机层的折射率范围为1.7至2;以及
所述有机层的折射率范围为1.45至1.55。
9.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述至少一个层中的每一层的厚度与所述第一无机层的厚度的比值范围为1:8至1:12。
10.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于,所述至少一个层中的每一层的厚度范围为20纳米至200纳米。
11.根据权利要求10所述的发光器件,其特征在于,所述至少一个层包括:
第一层,所述第一层的厚度范围为50纳米至200纳米;和
第二层,位于所述第一层和所述有机层之间。
12.根据权利要求10所述的发光器件,其特征在于:
所述第一无机层的厚度范围为500纳米至1500纳米;以及
所述有机层的厚度范围为4微米至16微米。
13.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第三无机层的材料包括氮氧化硅。
14.根据权利要求13所述的发光器件,其特征在于,所述第一无机层的材料包括氮氧化硅。
15.根据权利要求1-14任意一项所述的发光器件,其特征在于,所述发光单元包括微腔结构,所述微腔结构包括:
阳极,位于所述背板的所述一侧;
发光层,位于所述阳极远离所述背板的一侧;
阴极,位于所述发光层远离所述阳极的一侧;和
取光层,位于所述阴极远离所述发光层的一侧,所述取光层的折射率小于所述有机层的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择