[实用新型]发光器件和显示装置有效
申请号: | 202022433812.9 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN214625093U | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 何宝轲;李端明;郜明浩;孙泉钦;黄冠军;张钦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张海强 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 显示装置 | ||
本公开提供了一种发光器件和显示装置,涉及显示技术领域。所述发光器件包括:发光单元,位于背板的一侧;和封装层,位于所述发光单元远离所述背板的一侧。封装层包括:第一无机层;第二无机层,位于所述第一无机层远离所述背板的一侧;有机层,位于所述第一无机层和所述第二无机层之间;和第三无机层,位于所述第一无机层和所述有机层之间。所述第一无机层的折射率、所述第三无机层的折射率和所述有机层的折射率依次减小。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种发光器件和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,有机发光二极管(OLED)由于自身的优点发展迅速。
对于OLED等发光器件来说,发光效率是评价发光器件的性能的一个指标。
实用新型内容
相关技术中,为了提高发光器件的发光效率,通过对发光器件的封装层以下的层结构进行调节。
发明人注意到,这样的方式对发光效率的提升有限,且实现难度和成本较高。
为了进一步提高发光器件的发光效率,本公开实施例提供了如下技术方案。
根据本公开实施例的一方面,提供一种发光器件,包括:发光单元,位于背板的一侧;和封装层,位于所述发光单元远离所述背板的一侧。封装层包括:第一无机层;第二无机层,位于所述第一无机层远离所述背板的一侧;有机层,位于所述第一无机层和所述第二无机层之间;和第三无机层,位于所述第一无机层和所述有机层之间。所述第一无机层的折射率、所述第三无机层的折射率和所述有机层的折射率依次减小。
在一些实施例中,所述第三无机层包括至少一层,所述至少一层中的每一层的折射率为n1,所述第一无机层、所述至少一层和所述有机层中与所述至少一层中的每一层相邻的两层的折射率为n2和n3,(n1)2 与(n2×n3)之间的差值的绝对值大于或等于0、且小于0.1。
在一些实施例中,所述至少一层包括一层。
在一些实施例中,所述至少一层中的每一层的厚度d=(2K+1)*λ/4,K为整数,λ为所述发光单元发出的光的波长。
在一些实施例中,所述第一无机层、所述至少一层和所述有机层中的相邻两层的折射率的差值的绝对值的范围为0.01至0.1。
在一些实施例中,所述至少一层中的每一层的折射率范围为1.45至1.76。
在一些实施例中,所述至少一层包括:第一层,所述第一层的折射率范围为1.57至1.76;和第二层,位于所述第一层和所述有机层之间,所述第二层的折射率范围为1.45至1.55。
在一些实施例中,所述第一无机层的折射率范围为1.7至2;以及所述有机层的折射率范围为1.45至1.55。
在一些实施例中,所述至少一层中的每一层的厚度与所述第一无机层的厚度的比值范围为1:8至1:12。
在一些实施例中,所述至少一层中的每一层的厚度范围为20纳米至200纳米。
在一些实施例中,所述至少一层包括:第一层,所述第一层的厚度范围为50纳米至200纳米;和第二层,位于所述第一层和所述有机层之间。
在一些实施例中,所述第一无机层的厚度范围为500纳米至1500纳米;以及所述有机层的厚度范围为4微米至16微米。
在一些实施例中,所述第三无机层的材料包括氮氧化硅。
在一些实施例中,所述第一无机层的材料包括氮氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022433812.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种链式抱箍和锁固装置
- 下一篇:一种冻土施工回填装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择