[实用新型]IGBT并联结构及变频器有效
申请号: | 202022440055.8 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN213754307U | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 韩震坡;刘念东 | 申请(专利权)人: | 苏州英威腾电力电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 王政 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | igbt 并联 结构 变频器 | ||
1.一种IGBT并联结构,用于安装在变频器的安装部上,其特征在于:包括母排以及分别安装于所述安装部上的三个IGBT组件,安装部具有于竖直方向上存在高度差的至少两个安装位,各所述IGBT组件分别安装于安装部的对应的安装位上,各所述IGBT组件的接入端的朝向均相同,且各所述IGBT组件的接入端通过所述母排电性连接。
2.根据权利要求1所述的IGBT并联结构,其特征在于:安装部具有于竖直方向上存在高度差的两个安装位,其中两个所述IGBT组件安装于安装部的同一安装位上,另一个所述IGBT组件安装于安装部的另一安装位上。
3.根据权利要求2所述的IGBT并联结构,其特征在于:三个所述IGBT组件呈品字型排列,且各个所述IGBT组件分别将接入端朝向顶端排列安装。
4.根据权利要求3所述的IGBT并联结构,其特征在于:所述母排设于各所述IGBT组件远离所述安装部的一端的外侧,且所述母排连接于各所述IGBT组件的接入端。
5.根据权利要求1所述的IGBT并联结构,其特征在于:安装部具有于竖直方向上存在高度差的三个安装位,各所述IGBT组件分别安装于安装部的对应安装位上。
6.根据权利要求5所述的IGBT并联结构,其特征在于:各所述IGBT组件沿竖直方向呈直线排列于所述安装部上。
7.根据权利要求4或6所述的IGBT并联结构,其特征在于:所述母排包括正极母排、叠设于所述正极母排上的负极母排以及设于所述正极母排与所述负极母排之间的绝缘层。
8.根据权利要求7所述的IGBT并联结构,其特征在于:各所述IGBT组件与所述母排的连接处分别设有吸收电容。
9.根据权利要求1所述的IGBT并联结构,其特征在于:所述IGBT组件包括至少两个IGBT本体以及电性连接于各所述IGBT本体的驱动板。
10.一种变频器,包括安装部,其特征在于:还包括如权利要求1至9任一项所述的IGBT并联结构,所述IGBT并联结构安装于所述安装部上。
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