[实用新型]IGBT并联结构及变频器

说明书

本实用新型涉及工业电源技术领域，提供一种IGBT并联结构，用于安装在变频器的安装部上，包括母排以及分别安装于安装部上的三个IGBT组件，安装部具有于竖直方向上存在高度差的至少两个安装位，至少两个的IGBT组件安装于安装部的对应安装位上，各个IGBT组件的接入端的朝向均相同，且各个IGBT组件的接入端通过母排电性连接。本实用新型能够解决现有的IGBT功率单元占地面积较大的问题。

技术领域

本实用新型涉及工业电源技术领域，尤其提供一种IGBT并联结构及变频器。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。随着工矿行业对兆瓦级大功率变流器的需求与日俱增，对IGBT的电流、电压和功率等级提出了更高的要求。为满足大功率电路设计的需求，通常直接选用大功率等级的IGBT或选用功率等级较小的IGBT通过串并联满足电路要求。采用串联的方式将大大增加产品成本和驱动电路的复杂性，而采用并联的方式，由于市场货源充足、驱动功率低且驱动线路简单广受追捧。因此，采用IGBT并联提高电流以满足工业要求，将有很大的实际应用价值。

目前功率单元IGBT并联方案一般采用一字排开的结构布局，但是IGBT数量的增多，功率单元的体积会随着变大，IGBT的传统布局无法满足市场实际需求。

实用新型内容

本实用新型的一个目的提供一种IGBT并联结构，旨在解决现有的IGBT功率单元占地面积较大的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

第一方面，本实用新型提供一种IGBT并联结构，用于安装在变频器的安装部上，包括母排以及分别安装于安装部上的三个IGBT组件，安装部具有于竖直方向上存在高度差的至少两个安装位，各IGBT组件分别安装于安装部的对应安装位，各个IGBT组件的接入端的朝向均相同，且各个IGBT组件的接入端通过母排电性连接。

本实用新型的有益效果：本实用新型提供的IGBT并联结构，采用三个IGBT组件来对应三相电，并将三个IGBT组件从传统的一字排开的结构调整为安装于不同水平高度上，从而在安装各个IGBT组件时，三个IGBT组件可分开安装于竖直方向上存在高度差的至少两个安装位上，有效的减少了横向排开的安装位置，即减小了占地面积，将横向占用的空间调整为纵向伸长，以满足使用场地的实际需求。

在一个实施例中，安装部具有于竖直方向上存在高度差的两个安装位，其中两个IGBT组件安装于安装部的同一安装位上，另一个IGBT组件安装于安装部的另一安装位上。

通过采用上述的技术方案，将其中两个的IGBT组件安装在安装部的同一安装位上，并将另一个IGBT组件安装在另一安装位上，从而降低了横向的安装空间，以达到降低占地面积的目的，满足实际市场需求。

在一个实施例中，三个IGBT组件呈品字型排列，且各个IGBT组件分别将接入端朝向顶端排列安装。

通过采用上述的技术方案，通过将三个IGBT组件排列形成品字型结构，即其中一个IGBT组件安装在另外两个IGBT组件之间的位置处，同时各个IGBT组件的接入端均位于顶端，在安装接线时更加规整，便于接线操作。

在一个实施例中，母排设于各IGBT组件远离安装部的一端外侧，且母排连接于各IGBT组件的接入端。

通过采用上述的技术方案，将母排安装在各个IGBT组件的外侧，即避免了母排与IGBT组件同一平面进行安装，从而降低了母排占用的横向安装空间。

在一个实施例中，安装部具有于竖直方向上存在高度差的三个安装位，各个IGBT组件分别安装于安装部的对应安装位上。