[实用新型]版图结构有效
申请号: | 202022479657.4 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN213278092U | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 蔡佩庭;王嘉鴻;林刚毅 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 版图 结构 | ||
本实用新型提供了一种版图结构及半导体器件。利用掩模图案对特征图案进行部分遮盖,以将特征图案中的有效规则图形界定出,并且掩模图案的至少第一边界是顺应规则图形的排布而对应延伸,提高了对有效规则图形的暴露度,并相应的保障对无效规则图形的遮盖程度。在将该版图结构应用于半导体器件的制备中时,则所形成的对应于有效规则图形的开孔的形貌也更加完整。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种版图结构及半导体器件。
背景技术
版图是集成电路设计是关键环节之一,是连接集成电路设计和集成电路产品的中间桥梁,在半导体集成电路的制作中,各类集成元器件及其间的隔离与互连等均是基于一组版图结构的界定下而图形化形成的。例如,针对存储器(例如,动态随机存储器DRMA)而言,在制备其电容器阵列时,即通常是利用版图界定出对应的开孔阵列。
随着半导体集成电路的不断发展,半导体器件中各个组件的图形精度要求也越来越高,而如何将版图中的图形精确复制于半导体产品中一直是本领域的一个重要研究方向。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种版图结构,以提高版图结构中的图形复制精度。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种版图结构,包括:
特征图案,所述特征图案包括由多个规则图形构成的图案阵列,所述规则图形具有相交于中心的长轴和短轴,其中沿着长轴方向为第一方向,沿着短轴方向为第二方向;
掩模图案,用于掩模遮盖所述特征图案,以遮盖所述图案阵列中位于边缘的无效规则图形,并暴露出所述图案阵列中被所述掩模图案围绕在内的有效规则图形;以及,所述掩模图案靠近所述有效规则图形的边界包括沿着所述第一方向延伸的第一边界和沿着所述第二方向延伸的第二边界,并且至少所述第一边界顺应规则图形的排布而构成第一锯齿状边界;
其中,所述第一锯齿状边界包括顺应规则图形的边界的台阶状斜边,所述第一锯齿状边界的台阶状斜边中沿着第一方向的台阶面宽度大于等于沿着第二方向的台阶面宽度。
可选的,所述第一锯齿状边界中,由两两相邻的台阶状斜边围绕出锯齿图形,所述锯齿图形呈中心线对称。
可选的,所述掩模图案的每一锯齿图形中位于中心的掩模凸块均至少遮盖至最靠近有效规则图形的无效规则图形,并使所述掩模凸块至少抵达至紧邻且在第一方向对角排布的两个有效规则图形之间。
可选的,所述锯齿图形的掩模凸块超出所述对角排布的两个有效规则图形之间的连接线。
可选的,所述锯齿图形的掩模凸块超出所述对角排布的两个有效规则图形之间的连接线,并进一步延伸至紧邻且对角排布的第三个有效规则图形中。
可选的,所述第一边界的台阶状斜边的延伸长度大于等于两个规则图形的边界长度之和,以使所述第一边界的台阶状斜边沿着规则图形的边界对应穿过至少两个规则图形。
可选的,所述掩模图案的第二边界也顺应规则图形的排布而构成第二锯齿状边界,以及所述第二锯齿状边界包括顺应规则图形的边界的台阶状斜边,所述第二锯齿状边界的台阶状斜边中沿着第一方向的台阶面宽度大于等于沿着第二方向的台阶面宽度。
可选的,所述第二边界的台阶状斜边的延伸长度大于等于一个规则图形的边界长度,以使所述第二边界的台阶状斜边沿着规则图形的边界对应穿过至少一个规则图形。
可选的,所述第二边界为沿着第二方向直线延伸的直边状边界。
可选的,在所述第一边界和所述第二边界相互连接的各个拐角处,所述第一边界其最边缘的台阶状斜边和所述第二边界的延伸方向之间的夹角均为钝角。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省晋华集成电路有限公司,未经福建省晋华集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022479657.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的