[实用新型]一种DFN3333-8A高密度框架有效
申请号: | 202022481667.1 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN212136437U | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 崔金忠;樊增勇;董勇;许兵;任伟;李宁;刘剑 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 范文苑 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dfn3333 高密度 框架 | ||
1.一种DFN3333-8A高密度框架,包括框架(100),所述框架(100)上设有多个芯片安装单元,所述芯片安装单元通过横向筋与竖向筋(3)连接,每个所述芯片安装单元相对的两边分别各设有四个管脚(1),所述横向筋包括管脚横向筋(4),所述管脚(1)连接有所述管脚横向筋(4),所述芯片安装单元内设有一个基岛(2),所述基岛(2)与管脚(1)存在间隙(6),所述间隙(6)的两侧连接有所述竖向筋(3),其特征在于,所述竖向筋(3)与管脚横向筋(4)相交处设有一个一字加强筋,所述间隙(6)两侧的所述竖向筋(3)上沿竖向设有第一加强筋(5),所述第一加强筋(5)沿竖向长度大于所述间隙(6)间距。
2.根据权利要求1所述的一种DFN3333-8A高密度框架,其特征在于,所述横向筋包括基岛横向筋(104),相邻所述基岛(2)横向上连接有所述基岛横向筋(104),所述基岛横向筋(104)上设有第二加强筋(8)。
3.根据权利要求2所述的一种DFN3333-8A高密度框架,其特征在于,所述基岛横向筋(104)包含镂空部(7),所述竖向筋(3)的两端连接相邻两个所述基岛横向筋(104)的外侧。
4.根据权利要求2所述的一种DFN3333-8A高密度框架,其特征在于,所述竖向筋(3)、基岛横向筋(104)和管脚横向筋(4)均设成半腐蚀结构,所述管脚(1)正面上设有凹槽,所述凹槽靠近所述芯片安装单元一端设于塑封体内。
5.根据权利要求1所述的一种DFN3333-8A高密度框架,其特征在于,所有所述管脚(1)结构一致。
6.根据权利要求1所述的一种DFN3333-8A高密度框架,其特征在于,所述基岛(2)包括芯片散热区(21),所述芯片散热区(21)周围和所述管脚(1)周围均设为半腐蚀结构。
7.根据权利要求1-6任一所述的一种DFN3333-8A高密度框架,其特征在于,所述框架(100)包括边框和位于边框中部的芯片排布区域,所述边框和芯片排布区域之间设有溢流槽(103)、定位部(106)。
8.根据权利要求1-6任一所述的一种DFN3333-8A高密度框架,其特征在于,所述框架(100)中部设有一条单元分隔槽(102),所述单元分隔槽(102)两侧各有一个框架单元(101),每个所述框架单元(101)布置有16排32列所述芯片安装单元。
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