[实用新型]一种DFN3333-8A高密度框架

权利要求书

1.一种DFN3333-8A高密度框架，包括框架（100），所述框架（100）上设有多个芯片安装单元，所述芯片安装单元通过横向筋与竖向筋（3）连接，每个所述芯片安装单元相对的两边分别各设有四个管脚（1），所述横向筋包括管脚横向筋（4），所述管脚（1）连接有所述管脚横向筋（4），所述芯片安装单元内设有一个基岛（2），所述基岛（2）与管脚（1）存在间隙（6），所述间隙（6）的两侧连接有所述竖向筋（3），其特征在于，所述竖向筋（3）与管脚横向筋（4）相交处设有一个一字加强筋，所述间隙（6）两侧的所述竖向筋（3）上沿竖向设有第一加强筋（5），所述第一加强筋（5）沿竖向长度大于所述间隙（6）间距。

2.根据权利要求1所述的一种DFN3333-8A高密度框架，其特征在于，所述横向筋包括基岛横向筋（104），相邻所述基岛（2）横向上连接有所述基岛横向筋（104），所述基岛横向筋（104）上设有第二加强筋（8）。

3.根据权利要求2所述的一种DFN3333-8A高密度框架，其特征在于，所述基岛横向筋（104）包含镂空部（7），所述竖向筋（3）的两端连接相邻两个所述基岛横向筋（104）的外侧。

4.根据权利要求2所述的一种DFN3333-8A高密度框架，其特征在于，所述竖向筋（3）、基岛横向筋（104）和管脚横向筋（4）均设成半腐蚀结构，所述管脚（1）正面上设有凹槽，所述凹槽靠近所述芯片安装单元一端设于塑封体内。

5.根据权利要求1所述的一种DFN3333-8A高密度框架，其特征在于，所有所述管脚（1）结构一致。

6.根据权利要求1所述的一种DFN3333-8A高密度框架，其特征在于，所述基岛（2）包括芯片散热区（21），所述芯片散热区（21）周围和所述管脚（1）周围均设为半腐蚀结构。

7.根据权利要求1-6任一所述的一种DFN3333-8A高密度框架，其特征在于，所述框架（100）包括边框和位于边框中部的芯片排布区域，所述边框和芯片排布区域之间设有溢流槽（103）、定位部（106）。

8.根据权利要求1-6任一所述的一种DFN3333-8A高密度框架，其特征在于，所述框架（100）中部设有一条单元分隔槽（102），所述单元分隔槽（102）两侧各有一个框架单元（101），每个所述框架单元（101）布置有16排32列所述芯片安装单元。