[实用新型]一种DFN3333-8A高密度框架有效

专利信息
申请号: 202022481667.1 申请日: 2020-11-02
公开(公告)号: CN212136437U 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 崔金忠;樊增勇;董勇;许兵;任伟;李宁;刘剑 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 范文苑
地址: 611731 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 dfn3333 高密度 框架
【说明书】:

实用新型涉及芯片封装制造技术领域,一种DFN3333‑8A高密度框架,包括框架,框架上设有多个芯片安装单元,芯片安装单元通过横向筋与竖向筋连接,每个芯片安装单元相对的两边分别各设有四个管脚,管脚连接有管脚横向筋,芯片安装单元内设有一个基岛,基岛与管脚存在间隙,竖向筋与管脚横向筋相交处设有一个一字加强筋,间隙两侧的竖向筋上沿竖向设有第一加强筋,第一加强筋沿竖向长度大于间隙间距。本实用新型框架在竖向筋与管脚横向筋相交处只设置一个一字加强筋,间隙两侧的竖向筋上沿竖向设有长度大于间隙的第一加强筋,既能保证框架的强度又能改善塑封后框架的翘曲问题。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装制造技术领域,特别是一种DFN3333-8A高密度框架。

背景技术

在芯片的制造过程中,通常是将芯片集成到矩形框架上,用框架作为集成电路的芯片载体,形成电气回路,起到了和外部导线连接的桥梁作用。

DFN3333-8A为现有的小型电子元器件的芯片安装单元型号。该芯片安装单元为矩形,尺寸为3.3mm×3.3mm。在矩形的相对的两个长边各设有四个管脚,共计八个管脚。两侧的管脚位置相对设置,若干芯片安装单元高密度地集成在框架上。每个芯片安装单元内设置一个基岛,基岛正面设有芯片、背面设有芯片散热区。基岛一侧与管脚存在间隙,间隙两侧连接有竖向筋,框架在间隙的横向上强度较弱。

在框架上设置更多的芯片安装单元一直是行业内的普遍要求。如图1所示,框架100通常为矩形,3个单元分隔槽102将框架100分割为4个框架单元101。每个框架单元101中阵列排布若干芯片安装单元。为了提高框架100强度,往往设置多个单元分隔槽102,但单元分隔槽102处不能设置芯片安装单元,故设置的单元分隔槽102越多,框架100的利用率越低。

芯片封装后需要对框架进行切割,切割过程中刀具会发热,刀具与框架的接触面积越大、框架温度越高、刀具磨损越多,框架因为发热过大与塑封体产生间隙分层的概率变大,影响产品的质量和性能,刀具寿命降低。

现有技术中,由于芯片安装单元分别连接有横向筋和竖向筋,连接管脚的横向筋与竖向筋相交处还设有十字加强筋来保证框架的强度,导致塑封后框架的翘曲比较严重,使得切割框架时刀具的磨损比较大。

实用新型内容

本实用新型目的在于针对现有技术中竖向筋与连接管脚的横向筋相交处设有十字加强筋导致塑封后框架的翘曲程度大,使得切割框架时刀具的磨损比较严重的问题,提供一种DFN3333-8A高密度框架。

为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:

一种DFN3333-8A高密度框架,包括框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,所述芯片安装单元通过横向筋与竖向筋连接,每个所述芯片安装单元相对的两边分别各设有四个管脚,所述横向筋包括管脚横向筋,所述管脚连接有所述管脚横向筋,所述芯片安装单元内设有一个基岛,所述基岛与管脚存在间隙,所述间隙的两侧连接有所述竖向筋,所述竖向筋与管脚横向筋相交处设有一个一字加强筋,所述间隙两侧的所述竖向筋上沿竖向设有第一加强筋,所述第一加强筋沿竖向长度大于所述间隙间距。

所述竖向筋与管脚横向筋相交处作为所述框架主要的承力部位,通常需要设置金属片用于加强。现有技术中在相交处设置一个十字加强筋来保证框架的强度,但塑封后所述框架的翘曲比较严重, 使得切割框架时刀具的磨损较大。本实用新型DFN3333-8A高密度框架在相交位置处只设置一个一字加强筋,就可改善塑封后所述框架的翘曲问题,所述一字加强筋可以竖向设置也可以横向设置。所述框架在所述间隙的横向上强度较弱,在所述间隙两侧的所述竖向筋处沿着所述竖向筋长度方向设置长度大于所述间隙间距的所述第一加强筋,可提高所述框架强度,弥补只设置所述一字加强筋可能造成的框架强度不够的问题,避免在生产过程中因框架变形而引起的芯片连接不牢、焊线强度不够的情况产生,且所述框架塑封后不会产生翘曲。本实用新型框架采用上述设计,解决了所述框架塑封后的翘曲问题,同时所述框架强度满足要求。

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