[实用新型]一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器有效
申请号: | 202022485922.X | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN213209336U | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 陈从稳 | 申请(专利权)人: | 阿克多检测技术(重庆)有限公司 |
主分类号: | G01L13/02 | 分类号: | G01L13/02;G01L19/14;H05K7/20 |
代理公司: | 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 | 代理人: | 晋圣智 |
地址: | 409000 重庆市黔江区正阳工*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 硅差压 芯片 保护 结构 传感器 | ||
1.一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器,包括箱体式的表壳(1),所述表壳(1)内固定有芯片(2),所述芯片(2)的外部贴附有多个电阻片(3),所述芯片(2)的外部套装有包覆所述电阻片(3)的膜片(4);其特征在于,所述表壳(1)的两侧分别连通有连通待测设备高压端的高压管(5)和连通待测设备低压端的低压管(6);所述表壳(1)内安装有位于所述高压管(5)和所述膜片(4)之间、位于所述低压管(6)和膜片(4)之间的冷却机构(7);所述冷却机构(7)包括与所述表壳(1)内壁连接的套筒(8),所述套筒(8)内顶部固定有出水盒(9),所述套筒(8)内底部固定有进水盒(10),所述进水盒(10)的底部连通有固定在表壳(1)底部的进水泵(11);所述进水盒(10)和所述出水盒(9)之间连通有多根散热管(14)。
2.根据权利要求1所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器,其特征在于,所述高压管(5)和所述低压管(6)的位置均与所述膜片(4)对应。
3.根据权利要求1所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器,其特征在于,多根所述散热管(14)呈线性阵列排布。
4.根据权利要求1所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器,其特征在于,所述进水盒(10)位于所述出水盒(9)的下方。
5.根据权利要求1所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器,其特征在于,所述表壳(1)内固定有连接在所述芯片(2)两侧并将表壳(1)内室一分为二的隔板(15)。
6.根据权利要求1所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器,其特征在于,所述电阻片(3)有四个,且四个电阻片(3)之间通过线束连接为惠氏电桥结构。
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