[实用新型]一种DFN2030-6高密度框架有效
| 申请号： | 202022493985.X | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN212907724U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李东;李博;洪伟;刘剑 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 范文苑 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dfn2030 高密度 框架 | ||
1.一种DFN2030-6高密度框架，包括框架(100)，所述框架(100)包含多个芯片安装单元，所述框架(100)包括若干第一连接件(6)和若干第二连接件(1)，每个所述芯片安装单元相对的两边分别各设有三个引脚(2)，所述芯片安装单元内设有一个芯片安装部(3)，其特征在于，
横向上相邻所述芯片安装部(3)通过对应的所述第一连接件(6)相连通，所述引脚(2)通过对应的所述第一连接件(6)相连通，同一纵向上的所述第一连接件(6)通过对应的所述第二连接件(1)相连通，所述第二连接件(1)设成半腐蚀结构，所述芯片安装部(3)与对应所述引脚(2)存在间隙(4)，所述间隙(4)两侧对应的所述第二连接件(1)上沿纵向设有加强筋(5)，所述加强筋(5)沿纵向长度大于所述间隙(4)的间距。
2.根据权利要求1所述的一种DFN2030-6高密度框架，其特征在于，所述框架(100)包括边框和芯片排布区域(101)，所述边框和芯片排布区域(101)之间分别沿长度和宽度方向均匀分布有多个开口(7)，所述开口(7)内设有一个第三连接件(8)。
3.根据权利要求2所述的一种DFN2030-6高密度框架，其特征在于，所述第三连接件(8)包括横向连接件或纵向连接件，所述横向连接件间隔分布，相邻所述横向连接件之间设有一个或多个所述纵向连接件，或者，所述纵向连接件间隔分布，相邻所述纵向连接件之间设有一个或多个所述横向连接件。
4.根据权利要求2所述的一种DFN2030-6高密度框架，其特征在于，所述第三连接件(8)设成半腐蚀结构。
5.根据权利要求2-4任一所述的一种DFN2030-6高密度框架，其特征在于，所述框架(100)中部设有一条单元分隔槽(102)，所述单元分隔槽(102)两侧各有一个所述芯片排布区域(101)。
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