[实用新型]一种DFN2030-6高密度框架

说明书

本实用新型涉及芯片封装制造技术领域，特别是一种DFN2030‑6高密度框架，框架包含多个芯片安装单元，每个芯片安装单元相对的两边分别各设有三个引脚，芯片安装单元内设有一个芯片安装部，横向上相邻芯片安装部通过第一连接件对应相连通，横向上相邻芯片安装单元内同一侧引脚通过第一连接件对应相连通，纵向上所有第一连接件通过第二连接件相连通，第二连接件均设成半腐蚀结构，芯片安装部与对应引脚存在间隙，间隙两侧对应的第二连接件上沿纵向设有加强筋，加强筋沿纵向长度大于间隙的间距。本实用新型框架通过上述设计，改善了间隙和没有连接第二连接件的第一连接件之间的间隔会削弱所述框架的整体强度的问题。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装制造技术领域，特别是一种DFN2030-6高密度框架。

背景技术

现有技术中芯片的封装通常是将一个或多个芯片安装于矩形框架上高密度排布的各个芯片安装单元内，采用导线将芯片和芯片安装单元内的引脚相连接，形成电气回路，并对芯片安装单元进行塑封以隔绝外界水汽对芯片的影响，塑封结束后将框架上的所有芯片安装单元进行切割。

DFN2030-6为芯片安装单元型号(矩形，尺寸2.0mm×3.0mm)，尺寸为2.0mm×3.0mm，每个芯片安装单元相对的两个长边各设有三个引脚，共计六个引脚，两侧的引脚位置相对设置。每个芯片安装单元内设置一个芯片安装部，芯片安装部与对应的引脚之间存在间隙，每一个芯片安装单元均存在所述间隙，若干所述间隙的存在削弱了框架的整体强度。

另外，现有的框架结构包括若干沿框架长度方向设置的第一连接件和若干沿框架宽度方向设置的第二连接件。横向上相邻两个芯片安装单元之间通过若干第一连接件连接在框架上,个别的第一连接件之间通过连接第二连接件用以提高连接强度，同时减少了塑封结束后刀具的切割面积，但没有通过第二连接件连接的第一连接件之间的间隔处强度较弱。特别的，当芯片安装部与对应引脚之间的间隙两侧相邻的第一连接件之间没有连接第二连接件时，框架在此处间隔区域强度更弱，极易导致框架在生产过程中变形，导线焊接不牢。

实用新型内容

本实用新型目的在于针对现有技术中芯片安装单元内芯片安装部与对应引脚之间的间隙和相邻芯片安装单元之间没有连接第二连接件的第一连接件之间的间隔会削弱框架的整体强度，导致框架在生产过程中变形，导线焊接不牢的问题，提供一种DFN2030-6高密度框架。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种DFN2030-6高密度框架，包括框架，所述框架包含多个芯片安装单元，所述框架包括若干第一连接件和若干第二连接件，每个所述芯片安装单元相对的两边分别各设有三个引脚，所述芯片安装单元内设有一个芯片安装部，横向上相邻所述芯片安装部通过对应的所述第一连接件相连通，所述引脚通过对应的所述第一连接件相连通，同一纵向上的所述第一连接件通过对应的所述第二连接件相连通，所述第二连接件设成半腐蚀结构，所述芯片安装部与对应所述引脚存在间隙，所述间隙两侧对应的所述第二连接件上沿纵向设有加强筋，所述加强筋沿纵向长度大于所述间隙的间距。