[实用新型]DFN1610-6芯片框架有效
申请号: | 202022500171.4 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN212907725U | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 张明聪;樊增勇;董勇;许兵;任伟;李宁;刘剑 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 曹华 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | dfn1610 芯片 框架 | ||
本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种DFN1610‑6芯片框架。本实用新型包括框架本体和竖向切割道,框架本体上设有若干芯片安装单元,每个芯片安装单元包括有三个功能单元,每个功能单元上设有两个引脚,竖向切割道分别位于每列芯片安装单元的两侧;每个芯片安装单元上所有的功能单元沿竖向切割道的布置方向间隔设置,每个功能单元上的两个引脚沿框架本体的横向间隔设置,且两个引脚分别与竖向切割道相连;在引脚的侧面设有凹部,且凹部位于引脚与竖向切割道的连接处。本实用新型在塑封结束后,能够在产品的边缘减少飞边的形成,以及在对产品进行切割时,可以减少在引脚与塑封体之间出现分层的现象,减少在引脚的侧面出现短路的风险。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种DFN1610-6芯片框架。
背景技术
在目前市场已有的DFN1610-6芯片框架产品中,框架本体1本身的利用率不高。如图1所示,现有的DFN1610-6芯片框架上大多设计有三个排气槽2,并且三个排气槽2将DFN1610-6芯片框架分成C、D、E和F四个区域,而这种方式对框架本体1自身的利用率较低,从而造成了整个产品的生产效率较低且生产成本较高。
并且,现有的DFN1610-6芯片框架为了便于在塑封后对产品进行分割,一般会在相邻的两个芯片安装单元之间设计有切割道,在DFN1610-6芯片框架塑封结束后,沿着切割道对产品进行切割。然而,现有的DFN1610-6芯片框架在塑封结束后,沿切割道对产品进行切割时,容易因切割时的热量过高,而在引脚与塑封体之间出现分层现象,以及容易因相邻两个引脚之间的间隔距离较短,而在引脚的侧面出现短路的风险。而且,现有的DFN1610-6芯片框架在塑封结束后容易在产品的边缘出现飞边等现象。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于:针对现有技术中,现有的DFN1610-6芯片框架在塑封结束后并对产品进行切割时,容易在引脚与塑封体之间出现分层的现象,以及容易在引脚的侧面出现短路的风险,提供一种DFN1610-6芯片框架,能够在塑封结束后并对产品进行切割时,减少在引脚与塑封体之间出现分层现象,以及可以减少在引脚的侧面出现短路的风险,并且在塑封结束后,能够在产品的边缘减少飞边的形成。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
DFN1610-6芯片框架,包括框架本体,框架本体上设置有若干芯片安装单元,每个芯片安装单元包括有三个功能单元,每个功能单元上设有两个引脚,所有芯片安装单元在框架本体上呈矩形阵列排列;还包括沿框架本体竖向设置的竖向切割道,竖向切割道分别位于每列芯片安装单元的两侧;每个芯片安装单元上所有的功能单元沿竖向切割道的布置方向间隔设置,每个功能单元上的两个引脚沿框架本体的横向间隔设置,且两个引脚分别与芯片安装单元两侧的竖向切割道相连;在引脚的侧面设置有凹部,所述凹部位于引脚与竖向切割道的连接处。
在本实用新型中,引脚的侧面设置有凹部,并且凹部位于引脚与竖向切割道的连接处,从而在本实用新型进行塑封后,沿着竖向切割道对产品进行分割时,可以减少需要切割的量,进而可以减少在切割时产生的热量,从而可以减少因切割时的热量过高,而在引脚与塑封体之间出现分层现象;并且,在引脚的侧面设置有凹部,从而在竖向切割槽的布置方向上,可以增大相邻两个功能单元上的引脚与同一竖向切割道之间连接处的间隔距离,进而可以减少在沿竖向切割道切割产品时,因相邻两个引脚之间的间隔距离较短,而在引脚的侧面出现短路的风险;另外,本实用新型在引脚的侧面设置有凹部,从而在本实用新型进行塑封时,可以增大塑封料与本实用新型之间的接触面积,进而可以增大锁模力,从而本实用新型在塑封结束后可以减少在产品的边缘出现飞边等现象。所以,通过本实用新型的结构,在本实用新型塑封结束后并对产品进行切割时,可以减少在引脚与塑封体之间出现分层的现象,可以减少在引脚的侧面出现短路的风险,以及在塑封结束后,能够在产品的边缘减少飞边的形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司,未经成都先进功率半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022500171.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED灯珠辅助散热装置
- 下一篇:料位检测装置