[实用新型]器件连接结构和半导体

说明书

本实用新型实施例提供一种器件连接结构和半导体，涉及半导体技术领域。半导体包括器件连接结构，器件连接结构包括基板、器件和导体层，其中，多个器件分布在基板上，导体层覆盖在多个器件上，导体层与多个器件电连接，导体层上开设有至少一个镂空区，镂空区位于相邻的器件之间。器件连接结构和半导体能够使电流分配合理，减少电流的损耗，加快器件的反应时间，提高器件的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种器件连接结构和半导体。

背景技术

随着半导体工艺技术的快速进步，纳米等级的电路设计已经成为现行工艺的主流。在纳米等级的电路设计中，每个导体层的使用面积和利用率有着重要意义，如果存在导体层中的布线设计不合理，都会导致器件的性能急剧下降。

目前，两个器件之间一般需要通过导体层相连，而且导体层通常是采用全面覆盖的形式设置在基板上，也就是在基板的整个外延生长的表面上覆盖导体层，虽然这样电路绘制便利、工厂制造方便，但是导体层的大部分对实现器件性能是无用的，无用的导体层的部分仍会分布电流，会造成器件的电流损耗较大，且易受到外接温度、湿度等环境因素的影响，造成电流分布不均匀，降低器件的性能。

因此，设计一种器件连接结构，能够使电流分配合理，减少电流的损耗，加快器件的反应时间，提高器件的性能，这是目前急需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种器件连接结构和半导体，其能够使电流分配合理，减少电流的损耗，加快器件的反应时间，提高器件的性能。

本实用新型的实施例是这样实现的：

第一方面，本实用新型提供一种器件连接结构，器件连接结构包括基板、分布在基板上的多个器件和覆盖在多个器件上的导体层，导体层与多个器件电连接，导体层上开设有至少一个镂空区，镂空区位于相邻的器件之间。

在可选的实施方式中，导体层上远离器件的表面为轴对称形状。

在可选的实施方式中，导体层上远离器件的表面为中心对称形状。

在可选的实施方式中，器件在基板上呈环状形式排布，镂空区的数量为一个、且位于环状的中心位置。

在可选的实施方式中，器件呈矩阵形式排布，相邻两行器件之间的区域和/或相邻两列器件之间的区域开设有镂空区。

在可选的实施方式中，每相邻两列器件之间的区域开设有一个镂空区，镂空区沿列的长度方向延伸，镂空区的长度小于列的长度。

在可选的实施方式中，每相邻两行器件之间的区域开设有一个镂空区，镂空区沿行的长度方向延伸，镂空区的长度小于每行的长度。

在可选的实施方式中，相邻两个镂空区错位设置。

在可选的实施方式中，每相邻两行器件之间的区域开设有两个间隔的镂空区，两个镂空区分别分布在导体层的两侧、且均延伸至导体层的边缘。

在可选的实施方式中，器件的行数为M，前N行器件中，相邻两行器件之间的区域，后M-N行器件中，相邻两列器件之间的区域开设有镂空区。

第二方面，本实用新型提供一种半导体，半导体包括前述实施方式任一项的器件连接结构。

本实用新型实施例提供的器件连接结构和半导体的有益效果包括：

通过在导体层上对应器件间隙的位置开设镂空区，镂空区是对器件的电性和性能没有具体影响的部分，镂空区中没有填充导体层的材料，不会有电流分布，避免电流在导体层的无用部分分布，使电流能够分配合理，减少电流的损耗，加快器件的反应时间，提高器件的性能。

附图说明