[实用新型]半导体结构及器件有效
| 申请号： | 202022573210.3 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN213026135U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋;黄富强 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一掺杂类型的衬底，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；
设置在所述衬底内部的穿通区，所述穿通区为第二掺杂类型，所述穿通区上定义有沟槽区，所述沟槽区将所述衬底划分为多个芯片区；
第一注入区，位于沿部分第一表面深入的衬底内部，所述第一注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通；
以及第二注入区，位于沿第二表面深入的衬底内部，所述第二注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通；
第一电极位置，位于除第一注入区位置处的其余部分第一表面；
第二电极位置，位于第二注入区的表面；
第三电极位置，位于第一注入区的表面；
所述第一电极位置、第二电极位置以及第三电极位置分别用于设置金属层，与外部电路连接，并且，所述第一电极位置、第二电极位置以及第三电极位置彼此之间具有绝缘层。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极位置上设有金属层，所述第一电极位置上设有金属层。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极位置上设有金属层，所述第一电极位置上设有具有金属层。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
第三注入区，位于沿部分第一表面深入的衬底内部，且与所述第一注入区不连通，所述第三注入区与所述穿通区的掺杂类型相同；
所述第三注入区的表面上具有第四电极位置，所述第四电极位置用于设置金属层，以与外部电路连接，且所述第四电极位置与所述第一电极位置、第二电极位置以及第三电极位置之间均具有绝缘层。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，第三电极位置上设有金属层，第一电极位置上设有金属层。
6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，第二电极位置上设有金属层，第四电极位置上设有金属层，第一电极位置上设有金属层。
7.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，第三电极位置上设有金属层，第四电极位置上设有金属层。
8.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，第二电极位置上设有金属层，第四电极位置上设有金属层。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一掺杂类型的衬底、设置在所述衬底内部的穿通区、位于穿通区上的沟槽区、第一注入区、第二注入区以及金属层；
所述衬底为第一掺杂类型，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；所述穿通区为第二掺杂类型，所述穿通区上定义有沟槽区，所述沟槽区将所述衬底划分为多个芯片区；
所述第一注入区位于沿部分第一表面深入的衬底内部，所述第一注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通；所述第二注入区位于沿第二表面深入的衬底内部，所述第二注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通；
所述金属层设置在所述第一注入区的表面、第二注入区的表面或部分第一表面上，用于与外部电路连接。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
第三注入区，位于沿部分第一表面深入的衬底内部，且与所述第一注入区不连通，所述第三注入区与所述穿通区的掺杂类型相同；金属层设置在所述第一注入区的表面、第二注入区的表面、第三注入区的表面或部分第一表面上，用于与外部电路连接。
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