[实用新型]半导体结构及器件

说明书

一种半导体结构及器件，其结构包括第一掺杂类型的衬底、穿通区、第一注入区以及第二注入区，穿通区、第一注入区以及第二注入区为第二掺杂类型，穿通区上定义有沟槽区，沟槽区将衬底划分为多个芯片区；第一注入区和第二注入区均与穿通区相连通。第一注入区与衬底形成PN结，第二注入区与衬底也形成PN结，又由于第一注入区和第二注入区通过穿通区连通，因此，可以在衬底中形成PN结的各种器件，该器件可以根据电路设计的需要，选择在不同位置引出电极，从而加工成为不同功能的器件，具有很强的应用灵活性，由于前序工艺固定，不必要再多设计掩膜版或其他刻蚀步骤，因此，可以提高生产效率，也可以降低制造成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及器件。

背景技术

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，称为PN结（PNjunction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，常用的器件例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础就是PN结。随着集成电路(IC)的发展，由于各个半导体器件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。大多数情况下，这种集成密度的改进来自于最小特征尺寸的不断减小，这允许更多的部件集成到给定的区域。

随着各种大小智能家电的发展，半导体器件的使用场景越来越频繁，甚至需要将多个半导体器件集成在一个集成电路板中，不同的客户会有不同的电路设计，因此，需要具有不同功能的半导体器件以不同的封装方式集成在应用电路板中，而不同功能的半导体器件以及不同的封装方式都需要不同的加工或制作方式，导致制作成本较高。

因此，需要能够提供一种能够用于不同使用场景的半导体结构或器件，使其可以根据电路设计的需要，可以加工成为不同功能的器件，从而提高效率，降低生产成本。

实用新型内容

本实用新型提供一种半导体结构，使得该半导体器件能够用于多种使用场景，可以根据外部电路设计的需要，加工成为不同功能的器件，从而提高生产效率，降低生产成本。

根据第一方面，一种实施例中提供一种半导体器件，包括：

第一掺杂类型的衬底，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

设置在所述衬底内部的穿通区，所述穿通区为第二掺杂类型，所述穿通区上定义有沟槽区，所述沟槽区将所述衬底划分为多个芯片区；

第一注入区，位于沿部分第一表面深入的衬底内部，所述第一注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通；

以及第二注入区，位于沿第二表面深入的衬底内部，所述第二注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通；

第一电极位置，位于除第一注入区位置处的其余部分第一表面；

第二电极位置，位于第二注入区的表面；

第三电极位置，位于第一注入区的表面；

所述第一电极位置、第二电极位置以及第三电极位置分别用于设置金属层，与外部电路连接，并且，所述第一电极位置、第二电极位置以及第三电极位置彼此之间具有绝缘层。

一些实施例中，所述第二电极位置上设有金属层，所述第一电极位置上设有金属层。

一些实施例中，所述第三电极位置上设有金属层，所述第一电极位置上设有具有金属层。

一些实施例中，还包括：

第三注入区，位于沿部分第一表面深入的衬底内部，且与所述第一注入区不连通，所述第三注入区与所述穿通区的掺杂类型相同；