[实用新型]深沟槽功率MOS半导体器件有效
| 申请号： | 202022576642.X | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN213583800U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人： | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 功率 mos 半导体器件 | ||
1.一种深沟槽功率MOS半导体器件，其特征在于：所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞（14），所述MOS器件单胞（14）进一步包括：位于N型硅片本体（1）上部的P型基体层（2）、位于N型硅片本体（1）中部的轻掺杂N型漂移层（3）、位于N型硅片本体（1）下部的重掺杂N型衬底层（4），位于P型基体层（2）中的沟槽（5）从P型基体层（2）上表面延伸至轻掺杂N型漂移层（3）内，此沟槽（5）内具有一栅极多晶硅部（6），此栅极多晶硅部（6）与沟槽（5）之间通过一栅极氧化隔离层（7）；
位于所述P型基体层（2）上部且在沟槽（5）周边具有一重掺杂N型源极区（8），一漏极金属层（12）位于重掺杂N型衬底层（4）与轻掺杂N型漂移层（3）相背的表面，所述重掺杂N型源极区（8）上表面开有一凹槽（9），一绝缘介质层（11）覆盖所述沟槽（5）和栅极多晶硅部（6）上表面并延伸覆盖凹槽（9）一部分，一源极金属层（13）覆盖于重掺杂N型源极区（8）上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区（8）的凹槽（9）剩余部分；
相邻所述MOS器件单胞（14）之间的P型基体层（2）内具有一深凹槽（15），此深凹槽（15）的下端延伸至轻掺杂N型漂移层（3）的中部，此深凹槽（15）内填充有一绝缘二氧化硅部（16），此深凹槽（15）上表面覆盖有一第二绝缘介质层（17）。
2.根据权利要求1所述的深沟槽功率MOS半导体器件，其特征在于：所述P型基体层（2）为中掺杂P型基体层。
3.根据权利要求1所述的深沟槽功率MOS半导体器件，其特征在于：所述沟槽（5）与重掺杂N型源极区（8）的深度比为10：2~4。
4.根据权利要求1所述的深沟槽功率MOS半导体器件，其特征在于：所述深凹槽（15）的深度与沟槽（5）的深度的深度比为10：6~8。
5.根据权利要求1所述的深沟槽功率MOS半导体器件，其特征在于：所述沟槽（5）延伸至轻掺杂N型漂移层（3）的上部。
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