[实用新型]一种半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

第一芯片；

塑封层，所述塑封层覆盖所述第一芯片，所述塑封层中具有凹槽，所述凹槽贯穿位于所述第一芯片的上方的所述塑封层；

散热层，所述散热层覆盖所述凹槽的底面；所述第一芯片的背面贴合所述散热层；

第二芯片，所述第二芯片设置于所述凹槽中，所述第二芯片的背面贴合于所述散热层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：

所述散热层还覆盖所述凹槽的侧壁。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于：

所述散热层还延伸至所述塑封层的部分顶部表面，所述散热层和所述第二芯片的正面存在间隔。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：

所述塑封层中设置有至少一个贯通所述塑封层的导电插塞，所述导电插塞位于第一芯片的侧部；

所述第二芯片的正面与所述导电插塞电性连接；

所述散热层与所述导电插塞之间存在间隔。

5.根据权利要求4中所述的半导体封装结构，其特征在于：

所述半导体封装结构还包括第一互联结构层，所述第一互联结构层位于第一芯片背离所述散热层的一侧且与第一芯片的正面电性连接，所述第一互联结构层还延伸至第一芯片侧部的塑封层的表面以及导电插塞的表面；所述第一互联结构层电性连接导电插塞。

6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于：

所述封装结构还包括位于第二芯片背离第一芯片一侧的第二互联结构层，所述第二互联结构层包括第三导电层，第三导电层电性连接所述第二芯片的正面和所述导电插塞，所述第三导电层与所述散热层之间存在间隔。

7.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于：

所述第二芯片的厚度大于所述塑封层的凹槽的深度，所述第二芯片的正面通过键合线与所述导电插塞电性连接。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述散热层为铜或铝。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述散热层的厚度为100mm～150mm。

10.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述第一互联结构层背离所述第一芯片一侧的表面设置有焊球，所述焊球与所述第一互联结构层电性连接；

所述第一芯片的正面通过焊接结构与所述第一互联结构层电性连接，所述焊接结构为焊球或导电柱。