[实用新型]一种半导体封装结构

说明书

本实用新型提供一种半导体封装结构，包括第一芯片、塑封层、散热层和第二芯片；塑封层覆盖第一芯片，塑封层中具有凹槽，凹槽贯穿塑封层位于第一芯片上方的部分；散热层覆盖凹槽的底面；第一芯片的背面贴合散热层；第二芯片设置于凹槽中，第二芯片的背面贴合于散热层。在散热层的相对两侧分别贴装第一芯片和第二芯片，一个散热层同时接触正反两面的器件，可以同时辅助两面的器件进行传热，提高了散热效率。同时由于塑封层设置凹槽，散热层覆盖凹槽的设置，使得塑封层可容纳两个芯片，节省了封装结构的整体高度，有利于封装结构的小型化和提高器件的集成密度。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体封装结构。

背景技术

在终端产品小型化、多功能化的趋势下，越来越多的无源器件、有源器件(如芯片)等元器件被集成在一起。集成的元器件放热热量集中，而会影响封装结构内元器件的正常工作或对封装结构内元器件造成的损坏。因此封装结构内元器件的散热成为一个越来越凸显并亟待解决的问题。

实用新型内容

因此，本实用新型提供一种半导体封装结构，以解决半导体封装结构内如何提高散热性能同时提高器件集成密度的问题。

本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：第一芯片；塑封层，所述塑封层覆盖所述第一芯片，所述塑封层中具有凹槽，所述凹槽贯穿位于所述第一芯片上方的所述塑封层，所述凹槽位于所述第一芯片的上方；散热层，所述散热层覆盖所述凹槽的底面；所述第一芯片的背面贴合所述散热层；第二芯片，所述第二芯片设置于所述凹槽中，所述第二芯片的背面贴合于所述散热层。

可选的，所述散热层还覆盖所述凹槽的侧壁。

可选的，所述散热层还延伸至所述塑封层的部分顶部表面，所述散热层和所述第二芯片的正面存在间隔。

可选的，所述塑封层中设置有至少一个贯通所述塑封层的导电插塞，所述导电插塞位于第一芯片的侧部；所述第二芯片的正面与所述导电插塞电性连接；所述散热层与所述导电插塞之间存在间隔。

可选的，所述半导体封装结构还包括第一互联结构层，所述第一互联结构层位于第一芯片背离所述散热层的一侧且与第一芯片的正面电性连接，所述第一互联结构层还延伸至第一芯片侧部的塑封层的表面以及导电插塞的表面；所述第一互联结构层电性连接导电插塞。

可选的，所述封装结构还包括位于第二芯片背离第一芯片一侧的第二互联结构层，所述第二互连结构层包括第三导电层，第三导电层电性连接所述第二芯片的正面和所述导电插塞，所述第三导电层与所述散热层之间存在间隔。

可选的，所述第二芯片的厚度大于所述塑封层的凹槽的深度，所述第二芯片的正面通过键合线与所述导电插塞电性连接。

可选的，所述散热层为铜或铝。

可选的，所述散热层的厚度为100mm～150mm。

可选的，所述第一互联结构层背离所述第一芯片一侧的表面设置有焊球，所述焊球与所述第一互联结构层电性连接；所述第一芯片的正面通过焊接结构与所述第一互联结构层电性连接，所述焊接结构为焊球或导电柱。

本实用新型技术方案，具有如下优点：

1.本实用新型的半导体封装结构，在散热层的相对两侧分别贴装第一芯片和第二芯片，一个散热层同时接触正反两面的器件，可以同时辅助散热层两面的器件进行传热，提高了散热效率。同时由于塑封层设置凹槽，散热层覆盖凹槽底面的设置，使得塑封层可容纳两个芯片，节省了封装结构的整体高度，有利于封装结构的小型化和提高器件集成的密度。

2.本实用新型的半导体封装结构，散热层除覆盖凹槽的底面外，还可覆盖凹槽的侧壁，更可进一步覆盖延伸至塑封层的部分顶部表面。可以根据实际的散热和器件设计需求进行调整，提供更多选择，对于封装结构的空间设计提供更多选择。