[实用新型]一种高纯锗多晶制备用区熔炉有效

专利信息
申请号: 202022597326.0 申请日: 2020-11-11
公开(公告)号: CN213570823U 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 谢安扬 申请(专利权)人: 怀化市洪江恒昌锗业科技有限公司
主分类号: C30B29/08 分类号: C30B29/08;C30B28/08
代理公司: 长沙鑫泽信知识产权代理事务所(普通合伙) 43247 代理人: 李翠梅
地址: 418400 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 高纯 多晶 制备 熔炉
【说明书】:

实用新型公开了一种高纯锗多晶制备用区熔炉,包括安装板,所述安装板的顶部对称固定连接有支撑杆,所述支撑杆的顶部固定连接有U形槽板,两个所述U形槽板的内壁滑动连接有同一个石英管,所述安装板的顶部固定连接有支撑板,所述支撑板上设置有驱动石英管滑动的传动组件,所述石英管的底部内壁滑动连接有石英舟,所述石英管上设置有对石英舟进行限制的限位组件,所述石英管管口卡合密封盖,本实用新型结构简单,通过来回滑动石英管使得低纯度的锗受热均匀,熔化速率一致,提高了锗的提取纯度,通过鼓风机对使得熔炉温度能够迅速的达到锗的熔化温度,提高了高纯锗多晶制备的效率。

技术领域

本实用新型涉及高纯锗多晶制备技术领域,尤其涉及一种高纯锗多晶制备用区熔炉。

背景技术

高纯度的锗是半导体材料是从高纯度的氧化锗还原,再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶,可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。锗的发展具有很大的潜力。现代工业生产的锗,主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品。在高纯度的锗提取中需要对锗进行熔炼。

现有的高纯锗多晶制备用区熔炉对锗的加热不够均匀,造成锗在熔炼过程中,熔化速率不一致,影响锗的提取纯度,且熔炉温度提升过慢,降低了高纯锗多晶制备的效率。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种高纯锗多晶制备用区熔炉。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

一种高纯锗多晶制备用区熔炉,包括安装板,所述安装板的顶部对称固定连接有支撑杆,所述支撑杆的顶部固定连接有U形槽板,两个所述U形槽板的内壁滑动连接有同一个石英管,所述安装板的顶部固定连接有支撑板,所述支撑板上设置有驱动石英管滑动的传动组件,所述石英管的底部内壁滑动连接有石英舟,所述石英管上设置有对石英舟进行限制的限位组件,所述石英管管口卡合密封盖,所述安装板的顶部固定安装有加热炉,所述加热炉的内壁固定连接有燃料放置板,所述加热炉内设置有助燃组件。

优选的,所述传动组件包括石英管底部转动连接的转动板,所述转动板上开设有滑槽,所述支撑板的一侧转动连接有第一滑块,所述第一滑块和滑槽滑动连接,所述支撑板上设置有带动石英管滑动的动力组件。

优选的,所述动力组件包括支撑板的一侧固定安装的电动机,所述电动机的输出轴贯穿支撑板的一侧并延伸到支撑板的另一侧,所述电动机的输出轴固定套设有转动盘,所述转动盘的一侧转动连接有第二滑块,所述第二滑块和滑槽滑动连接。

优选的,所述限位组件包括石英管的底部内壁固定连接的限位块,所述限位块的一侧和石英舟的一侧相接触,所述石英管的顶部外壁固定连接有圆管,所述石英管的顶部滑动连接有限位杆,所述限位杆的外壁套设有拉簧,所述拉簧的底部和石英管的顶部外壁固定连接,所述圆管的内壁滑动连接有第三滑块,所述第三滑块固定套设在限位杆外壁上,所述拉簧的顶部和第三滑块的底部固定连接。

优选的,所述助燃组件包括安装板的顶部固定安装的鼓风机,所述鼓风机的出气口连接有导管,所述导管的一端贯穿加热炉的一侧内壁并延伸到加热炉内,所述导管的顶部固定连接有多个导气碟。

优选的,所述石英管的顶部外壁固定连接有氢气出气管,所述氢气出气管贯穿石英管的顶部外壁并延伸到石英管内,所述密封盖上固定连接有氢气进气管。

优选的,所述安装板的底部四角均固定安装有万向轮,所述万向轮为刹车万向轮。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:1、本实用新型中,将密封盖取下,用钩子勾出石英舟,将低纯度锗多晶放入到石英舟内,放入好后用钩子将石英舟送到最初的位置,在限位块和限位杆的限制下,石英舟将固定石英管内相应的位置。

2、本实用新型中,开启鼓风机的工作,鼓风机的工作产生气体通过多个导气碟不断的向上吹风,使得燃料迅速燃烧。

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