[实用新型]一种用于晶圆光刻的盖盘

说明书

本实用新型涉及一种用于晶圆光刻的盖盘，所述盖盘为凹型结构；所述凹型结构的底部设置有凹槽；所述凹槽中心处设置有通孔；所述凹型结构的中心线和所述凹槽的中心线相重合；所述凹型结构的侧面距离所述凹形结构的底面6‑7mm的位置设置有与底面相平行的长方形通孔。本实用新型提供的盖盘，通过对盖盘的结构进行重新设计，设置多层凹槽及在侧面的特定位置设置长方形通孔，使得在使用过程中装配牢固，避免了晶圆的晃动，使用寿命显著延长。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，具体涉及一种用于晶圆光刻的盖盘。

背景技术

目前，在半导体芯片制造过程中，晶圆片需要经过光刻环节，上盘盖即用于该工艺阶段的设备内，是其重要的一个承载部分。

如CN111722478A公开了一种晶圆光刻设备，其结构包括主体、控制面板、进料口、光刻块、显影装置，进料口设置在主体的左侧，显影装置包括光蚀剂回收箱、晶圆收集箱、传送带、载盘、滑动杆、喷料装置，喷料装置包括横向滑动块、限位块、旋转块、螺纹杆、通料管、出料装置，出料装置包括通料槽、喷料头、凹槽、动力喷头、刷渣装置，刷渣装置包括挡料装置、转杆、刷子，挡料装置设置在刷渣装置的侧端，利用动力喷头垂直喷出光蚀剂，对安装在凹槽正中间的刷渣装置进行冲击，使得挡料装置受到冲击力进行旋转，从而让嵌固在转杆上的刷子通过旋转对晶圆表面的残渣进行刷洗，避免由反应过后的残渣附在晶圆的表面，影响后反应的晶圆光刻位置显影。

CN105093821A公开了一种光刻方法以及工艺腔室，所述光刻方法包括：将晶圆放入涂布腔室中，将涂布腔室中的气压设置为第一气压，在所述晶圆表面进行第一旋涂，在所述晶圆表面覆盖光刻材料层；进行第一旋涂之后，进行第一降压步骤，使涂布腔室中的气压从第一气压下降为第二气压；在所述晶圆表面进行第二旋涂；对所述光刻材料层进行固化处理；对覆盖有光刻材料层的晶圆进行光刻。在所述晶圆表面上进行第一旋涂以后，进行第一降压步骤，能够使得光刻材料层中的气泡随气压下降而被挤出或破掉，这样经过第二旋涂、固化处理后的光刻材料层中不容易存在气泡，能够有效提高光刻的精度。

上盘盖作为这个承载单位组合体的基体部分，它的尺寸会影响到最终组合件的装配效果，所以对于产品的外形尺寸还有平面度/平行度要求严格，另外表面的一些装配位置会涉及到其他组合件的装配位置，所以位置精度要求也相对较高，另外该上盘盖产品最终通过与其他零部件的装配组合，再其形成一个回路，实现气体在盘盖内部流动。

然而现有的盖盘仍存在使用过程中仍存在装配不牢固，光刻中晶圆晃动，进而导致晶圆的损伤，同时还存在光刻过程时盖盘使用寿命短等问题。

实用新型内容

鉴于现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种用于晶圆光刻的盖盘，该盖盘通过重新设计解决了盖盘在装配过程中装配不牢固，晶圆晃动，盖盘使用寿命短等问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型提供了一种用于晶圆光刻的盖盘，所述盖盘为凹型结构；

所述凹型结构的底部设置有凹槽；

所述凹槽中心处设置有通孔；

所述凹型结构的中心线和所述凹槽的中心线相重合；

所述凹型结构的侧面距离所述凹形结构的底面6-7mm的位置设置有与所述凹形结构的底面相平行的长方形通孔。

本实用新型提供的盖盘，通过对盖盘的结构进行重新设计，设置多层凹槽及在侧面的特定位置设置长方形通孔，使得在使用过程中装配牢固，避免了晶圆的晃动，使用寿命显著延长。