[实用新型]芯片老化测试箱有效
申请号: | 202022600766.7 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN214473745U | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 杨文祥 | 申请(专利权)人: | 苏州诺威特测控科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R1/04 |
代理公司: | 苏州科仁专利代理事务所(特殊普通合伙) 32301 | 代理人: | 郭杨 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 老化 测试 | ||
一种芯片老化测试箱,包括具有试验腔的箱体、转动设置于所述箱体上的箱门,还包括设置于所述箱体内部的送风系统、设置于所述箱体内部的风道,所述风道包括设置于所述试验腔顶壁上方的加热腔、设置于所述试验腔一侧部的送风风道、设置于所述试验腔另一侧部的回风风道,所述加热腔、所述送风风道、所述试验腔与所述回风风道依次相连通。本实用新型通过将送风系统和风道相结合,形成一套循环系统,该循环系统使得试验腔内的温度均匀,保证较高的均匀度指标,且达到了温度设定的要求,保证芯片老化试验效果。
技术领域
本实用新型涉及一种芯片老化测试箱。
背景技术
高温试验箱可模拟高温环境,适用于检测电子、电器、食品、汽车、橡胶、塑料胶、金属等产品。在检测一些特殊的芯片产品时,对试验箱内的高温均匀度指标的要求较高,现有技术中的高温试验箱,如果在试验箱中搁置多层产品,难以使得各层产品的温度环境均匀分布。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种芯片老化测试箱。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种芯片老化测试箱,包括具有试验腔的箱体、转动设置于所述箱体上的箱门,还包括设置于所述箱体内部的送风系统、设置于所述箱体内部的风道,所述风道包括设置于所述试验腔顶壁上方的加热腔、设置于所述试验腔一侧部的送风风道、设置于所述试验腔另一侧部的回风风道,所述加热腔、所述送风风道、所述试验腔与所述回风风道依次相连通。
在某些实施方式中,所述送风风道位于试验腔的背壁板外,所述回风风道与所述送风风道相对分布,并位于试验腔与关闭状态下的箱门之间。
在某些实施方式中,所述试验腔的背壁板上开设有多个穿透的网孔,所述试验腔和所述送风风道通过所述网孔连通。
在某些实施方式中,所述试验腔顶壁的前部具有回风口,所述回风口位于所述回风风道的正上方。
在某些实施方式中,所述加热腔、所述送风风道、所述试验腔和所述回风风道连通成型于所述箱体内部。
在某些实施方式中,所述送风系统包括设置于所述加热腔内的循环风机、加热丝。
本实用新型的范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:本实用新型通过将送风系统和风道相结合,形成一套循环系统,该循环系统使得试验腔内的温度均匀,保证较高的均匀度指标,且达到了温度设定的要求,保证芯片老化试验效果。
附图说明
附图1为本实用新型提供的试验箱立体示意图;
附图2为试验箱正面示意图;
附图3为试验箱G-G剖剖面示意图;
其中: 1、箱体;11、试验腔;2、箱门;3、风道;31、加热腔;32、送风风道;33、回风风道;4、送风系统。
具体实施方式
如各附图所示,本实用新型提供了一种芯片老化测试箱。
如图1、2所示,该试验箱包括具有试验腔11的箱体1、转动设置于箱体1上的箱门2。
如图3所示,该试验箱还包括还包括设置于箱体1内部的送风系统4、设置于箱体内部的风道3,风道3包括设置于试验腔11顶壁上方的加热腔31、设置于试验腔11一侧部的送风风道32、设置于试验腔11另一侧部的回风风道33,加热腔31、送风风道32、试验腔11与回风风道33依次相连通。
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