[实用新型]一种半导体发光二极管模组有效
申请号: | 202022602631.4 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN212991117U | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 田小兵 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯光微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62;H01L33/58 |
代理公司: | 深圳市新虹光知识产权代理事务所(普通合伙) 44499 | 代理人: | 孙畅 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区沙井*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 发光二极管 模组 | ||
本实用新型涉及二极管模组技术领域,公开了一种半导体发光二极管模组,包括基板,所述基板的顶端中部设置有固定座,所述固定座的顶端中部设置有发光二极管,所述发光二极管的外部包覆有密封胶层,所述发光二极管的底端两侧均设置有引脚,所述引脚依次穿过固定座、基板且延伸至基板下方,所述基板上设置有密封机构,所述密封机构固定在引脚与基板的连接处。本实用新型通过设置的密封机构实现了引脚与基板连接处的快速密封,以保证连接处的密封性,密封连接套利用密封部与卡槽相适配实现密封。
技术领域
本实用新型涉及二极管模组技术领域,尤其涉及一种半导体发光二极管模组。
背景技术
半导体发光二极管紫外(UVLED)发光波长包括200nm~400nm之间的所有电磁辐射波长,半导体发光二极管紫外(UVLED)发光波长可以分为UVA(320nm~400nm,也称为“长波紫外线”),UVB(285nm~320nm,也称为“中波紫外线”),UVC(200nm~285nm,也称为“短波紫外线”),半导体发光二极管紫外(UVLED)短波紫外线UVC具有杀菌消毒作用和功能。
现有的半导体发光二极管模组的不足之处:发光二极管是通过导电引脚与外接电源连接,这容易使得支架与导电引脚的连接位置上留有间隙,从而使的外界湿气人容易渗入,使其防潮性能变差,从而减小了发光二极管的使用寿命。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体发光二极管模组,通过设置的密封机构实现了引脚与基板连接处的快速密封,以保证连接处的密封性,密封连接套利用密封部与卡槽相适配实现密封的优点,解决了现有的半导体发光二极管模组的发光二极管是通过导电引脚与外接电源连接,这容易使得支架与导电引脚的连接位置上留有间隙,从而使的外界湿气人容易渗入,使其防潮性能变差的问题。
根据本实用新型实施例的一种半导体发光二极管模组,包括基板,所述基板的顶端中部设置有固定座,所述固定座的顶端中部设置有发光二极管,所述发光二极管的外部包覆有密封胶层,所述发光二极管的底端两侧均设置有引脚,所述引脚依次穿过固定座、基板且延伸至基板下方,所述基板上设置有密封机构,所述密封机构固定在引脚与基板的连接处。
进一步地,所述基板的两侧均设置有安装部,所述安装部通过螺钉实现与外部部件连接固定。
进一步地,所述发光二极管与引脚的连接处设置有第一密封块,所述第一密封块套设在引脚的外壁上,且所述第一密封块的上部抵接发光二极管。
进一步地,所述密封胶层的上部两侧向下凹陷有棱槽,所述棱槽的深度为发光二极管高度的一半。
进一步地,所述密封机构包括设置在引脚末端的第二密封块,所述第二密封块也套接在引脚外壁上,且在所述第二密封块的外壁上均匀设置有多个连接槽。
进一步地,所述连接槽的外部套接有密封连接套,所述密封连接套延伸至第二密封块的外侧。
进一步地,所述第二密封块延伸至基板底部的凹槽内,所述凹槽的侧壁上均匀设置有多个卡块。
进一步地,所述卡块间设置有卡槽,所述密封连接套延伸至卡槽内,所述卡槽与密封连接套相适配。
进一步地,所述密封连接套包括密封部、连接部、套口,所述密封连接套通过套口套接在第二密封块的外壁上。
进一步地,所述连接部与连接槽相适配,且所述连接部的宽度小于密封部,所述密封部延伸至卡槽中。
本实用新型与现有技术相比具有的有益效果是:
1、通过设置的密封机构实现了引脚与基板连接处的快速密封,以保证连接处的密封性,密封连接套利用密封部与卡槽相适配实现密封,连接部实现密封连接套与第二密封块间的快速连接,使得连接处内的凹槽在第二密封块、密封连接套作用下实现多重密封,从而外界湿气人不易渗入,提高其防潮性能;
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