[实用新型]一种直拉单晶热场

权利要求书

1.一种直拉单晶热场，包括石英坩埚、石墨/碳碳坩埚、上固化保温筒、中固化保温筒和导流筒，其特征在于，还具有：

置于所述石墨/碳碳坩埚上端面的支撑坩埚；

和置于所述上固化保温筒和所述中固化保温筒之间的支撑保温筒；

其中，所述支撑坩埚上端面低于所述石英坩埚上端面，且所述支撑坩埚上端面距离所述石墨/碳碳坩埚上端面的高度为定值；

所述支撑保温筒分别与所述上固化保温筒和所述中固化保温筒连接，且所述支撑坩埚高度与所述支撑保温筒高度相同。

2.根据权利要求1所述的一种直拉单晶热场，其特征在于，所述支撑坩埚高度为20-80mm；且所述支撑坩埚上端面距离所述石英坩埚上端面的高度为8-15mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种直拉单晶热场，其特征在于，所述支撑坩埚下端面与所述石墨/碳碳坩埚上端面相适配，且所述支撑坩埚径向厚度与所述石墨/碳碳坩埚径向厚度相同。

4.根据权利要求3所述的一种直拉单晶热场，其特征在于，所述上固化保温筒包括置于内侧的碳碳环层和置于外侧的固化碳环层，所述碳碳环层与所述固化碳环层紧贴设置；

所述固化碳环层下端面为与所述中固化保温筒上端面相适配的阶梯面，且所述固化碳环层内侧阶梯面与所述碳碳环层下端面平齐设置。

5.根据权利要求4所述的一种直拉单晶热场，其特征在于，所述碳碳环层上端面与所述导流筒安装台连接设置，且所述固化碳环层上端面为平整平面并与所述导流筒安装台间隙设置。

6.根据权利要求4或5所述的一种直拉单晶热场，其特征在于，所述支撑保温筒被置于所述固化碳环层下端面内侧阶梯面下方，其径向厚度与所述上固化保温筒下端面内侧阶梯面径向厚度和所述碳碳环层径向厚度之和相同。

7.根据权利要求6所述的一种直拉单晶热场，其特征在于，所述上固化保温筒下端面外侧阶梯面与所述中固化保温筒上端面外侧阶梯面之间有环形间隙，并在所述环形间隙内设有与所述支撑保温筒高度相同的第一垫圈。

8.根据权利要求7所述的一种直拉单晶热场，其特征在于，在所述固化碳环层上端面为平整平面并与所述导流筒安装台之间设有第二垫圈。

9.根据权利要求8所述的一种直拉单晶热场，其特征在于，所述第二垫圈径向厚度大于所述第一垫圈径向厚度。

10.根据权利要求1-2、4-5、7-9任一项所述的一种直拉单晶热场，其特征在于，所述导流筒下端面距离所述石英坩埚内熔硅液面距离为20-25mm。