[实用新型]一种直拉单晶热场

说明书

本实用新型提供一种直拉单晶热场，包括石英坩埚、石墨/碳碳坩埚、上固化保温筒、中固化保温筒和导流筒，还具有：置于石墨/碳碳坩埚上端面的支撑坩埚和置于上固化保温筒和中固化保温筒之间的支撑保温筒；支撑坩埚上端面低于石英坩埚上端面，且支撑坩埚上端面距离石墨/碳碳坩埚上端面的高度为定值；支撑保温筒分别与上固化保温筒和中固化保温筒连接，且支撑坩埚高度与支撑保温筒高度相同。本实用新型在不改变现有石墨/碳碳坩埚、加热器、所有固化保温筒结构的条件下，重新配置较于常规石英坩埚一定高度的新的石英坩埚，在新的热场中进行复投生产，不仅可降低金属杂质进入直拉单晶中，而且可提高单晶质量，降低单棱断苞率。

技术领域

本实用新型属于直拉单晶制造技术领域，尤其是涉及一种直拉单晶热场。

背景技术

在直拉单晶过程中，相对于其它热场件如固化保温筒、加热器、石墨/ 碳碳坩埚等，石英坩埚的结构直接影响着单晶晶体的性能参数和生产效率。现有如何在不改变如固化保温筒、导流筒、加热器、石墨/碳碳坩埚等热场件结构的情况下，最大限度地提高晶体性能参数及生产效率，并降低单棱断苞率，是现有大尺寸化、高质量、低成本加工硅片的关键。

实用新型内容

本实用新型提供一种直拉单晶热场，解决了现有技术中在不改变如固化保温筒、导流筒、石墨/碳碳坩埚等热场件结构的情况下，最大限度地提高晶体性能参数、降低单棱断苞率及生产效率的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种直拉单晶热场，包括石英坩埚、石墨/碳碳坩埚、上固化保温筒、中固化保温筒和导流筒，还具有：

置于所述石墨/碳碳坩埚上端面的支撑坩埚；

和置于所述上固化保温筒和所述中固化保温筒之间的支撑保温筒；

其中，所述支撑坩埚上端面低于所述石英坩埚上端面，且所述支撑坩埚上端面距离所述石墨/碳碳坩埚上端面的高度为定值；

所述支撑保温筒分别与所述上固化保温筒和所述中固化保温筒连接，且所述支撑坩埚高度与所述支撑保温筒高度相同。

进一步的，所述支撑坩埚高度为20-80mm；且所述支撑坩埚上端面距离所述石英坩埚上端面的高度为8-15mm。

进一步的，所述支撑坩埚下端面与所述石墨/碳碳坩埚上端面相适配，且所述支撑坩埚径向厚度与所述石墨/碳碳坩埚径向厚度相同。

进一步的，所述上固化保温筒包括置于内侧的碳碳环层和置于外侧的固化碳环层，所述碳碳环层与所述固化碳环层紧贴设置；

所述固化碳环层下端面为与所述中固化保温筒上端面相适配的阶梯面，且所述固化碳环层内侧阶梯面与所述碳碳环层下端面平齐设置。

进一步的，所述碳碳环层上端面与所述导流筒安装台连接设置，且所述固化碳环层上端面为平整平面并与所述导流筒安装台间隙设置。

进一步的，所述支撑保温筒被置于所述固化碳环层下端面内侧阶梯面下方，其径向厚度与所述上固化保温筒下端面内侧阶梯面径向厚度和所述碳碳环层径向厚度之和相同。

进一步的，所述上固化保温筒下端面外侧阶梯面与所述中固化保温筒上端面外侧阶梯面之间有环形间隙，并在所述环形间隙内设有与所述支撑保温筒高度相同的第一垫圈。

进一步的，在所述固化碳环层上端面为平整平面并与所述导流筒安装台之间设有第二垫圈。

进一步的，所述第二垫圈径向厚度大于所述第一垫圈径向厚度。

进一步的，所述导流筒下端面距离所述石英坩埚内熔硅液面距离为 20-25mm。