[实用新型]一种简易高效的植球装置有效
申请号: | 202022611396.7 | 申请日: | 2020-11-12 |
公开(公告)号: | CN214672506U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 杨东升;师建行;尹庭辉;刘思怡;沈国策 | 申请(专利权)人: | 南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 严海晨 |
地址: | 210016 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 简易 高效 装置 | ||
本实用新型涉及一种简易高效的植球装置,包括真空吸附平台及网板,真空吸附平台有两路独立的真空,分别对待植球芯片及网板进行真空吸附固定;网板通过硅片或玻璃制作,网板上表面通过腐蚀形成腔体,中部通过腐蚀或激光切割形成与待植球芯片对应的通孔。植球时,先通过一路真空管路吸附待植球芯片,另一路真空管路吸附助焊剂印刷网板,然后印刷助焊剂,接着取下网板;接着通过另一路真空管路吸附植球网板进行植球后垂直取下植球网板,然后将已植球芯片放入炉中回流即可。优点:该装置制造周期短、加工成本低、使用简易方便,便于不同产品间的简便切换。通过硅片做网板解决了传统钢网存在的翘曲,实现超小球的高精度、高效率植球工艺。
技术领域
本实用新型是一种简易高效的植球装置,属于半导体封装领域技术领域。
背景技术
随着射频产品频段不断的提升,大尺寸(≥350um)锡球的射频性能无法满足频段不断提升的要求,开发超小球(≤200um)的植球方法势在必行。
传统的钢制网板容易翘曲变形,难以适用于超小球(≤200um)的植球工艺。
可兼容超小球植球的高精度置球机成本极高,一般在数百万人民币,较多的研发机构及公司难以承担。
发明内容
本实用新型提出的是一种简易高效的植球装置,其目的在于针对现有技术存在的缺陷,提出一种结构简单、性能优异、简易高效的植球装置。
本实用新型的技术解决方案:一种简易高效的植球装置,所述植球装置包括吸附平台1和网板,所述网板包括助焊剂印刷网板9和植球网板10,吸附平台1上设有两路独立真空管路,分别吸附网板和待植球芯片,所述真空管路由光孔和螺纹孔组成,螺纹孔通过接头与外部真空管路连接;吸附平台1上表面设有方形沉槽2和四个光孔、侧面设有两个螺纹孔,方形沉槽2与待植球芯片厚度相同,其中两个光孔与一个螺纹孔相通形成吸附助焊剂印刷网板9或植球网板10的独立真空管路,另两个光孔与另一个螺纹孔相通形成吸附待植球芯片的真空管路;所述助焊剂印刷网板9上有助焊剂印刷网板光孔阵列11,所述植球网板10上表面设有植球网板方形盲槽12和植球网板光孔阵列13。
所述光孔包括第一光孔3、第二光孔4、第三光孔5、第四光孔6,第一光孔3、第二光孔4位于吸附平台1上表面,第三光孔5、第四光孔6位于方形沉槽2上表面;所述螺纹孔包括第一螺纹孔7、第二螺纹孔8,第一螺纹孔7、第二螺纹孔8分别位于两个不同侧面,光孔3、光孔4和第一螺纹孔7相通形成吸附网板的真空管路,第三光孔5、第四光孔6和第二螺纹孔8相通形成吸附待植球芯片的真空管路。
所述助焊剂印刷网板9通过硅片或玻璃制作,硅片或玻璃厚度为0.05mm~0.1mm,长和宽>待植球芯片尺寸,通过腐蚀或激光开通孔阵列,通孔直径为0.6~0.8倍的球径。
所述植球网板10通过硅片或玻璃制作,厚度≥1.8倍的球径,上表面通过腐蚀形成植球网板方形盲槽12,深度≥球径,长和宽>待植球芯片尺寸,植球网板方形盲槽12的底面通过干法腐蚀或激光开通孔阵列,通孔直径等于1.2倍的球径,深度等于0.8倍的球径。
其工作方法包括如下步骤:
1)待植球芯片通过吸附待植球芯片的真空管路吸附在方形沉槽2,待植球面朝上;
2)助焊剂印刷网板9在显微镜下与待植球芯片对准后通过吸附助焊剂印刷网板9的独立真空管路吸附固定,然后在待植球芯片上印刷助焊剂,结束之后关闭吸附助焊剂网板的真空管路,垂直取下助焊剂网板;
3)在显微镜下将植球网板与待植球芯片对准,植球网板方形盲槽12朝上,然后通过吸附助植球网板的独立真空管路吸附固定,在植球网板方形盲槽12中倒入锡球,并用毛刷在每个孔中刷入一颗锡球,剩余的锡球倒出至回收容器中;关闭吸附植球网板的真空管路,垂直取下植球网板;
4)将已置球的芯片通过加热炉回流。
本实用新型的有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造