[实用新型]基板加热装置有效
申请号: | 202022614549.3 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN213242503U | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 周文君 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 | ||
本实用新型提供一种基板加热装置,涉及基板加工工艺技术领域,用于解决在基板上形成的聚酰亚胺膜中存在气泡,导致聚酰亚胺膜的良率低的技术问题,该基板加热装置包括炉体、加热部和隔热部,加热部和隔热部位于加热腔室内,待加热基板放入加热腔室内加热时,加热部位于待加热基板的一侧,隔热部位于待加热基板的远离加热部的一侧,以使待加热基板的靠近加热部的一侧与靠近隔热部的一侧之间形成预设的温度差。本实用新型用于改善聚酰亚胺膜中存在的气泡,提高聚酰亚胺膜的良率。
技术领域
本实用新型涉及基板加工工艺技术领域,尤其涉及一种基板加热装置。
背景技术
近年来,随着市场的需求,通常在玻璃基板上涂布聚酰亚胺等前体的溶液后,经过对基板加热等工序形成聚酰亚胺膜,以增加基板的柔性,满足市场的需求。
相关技术中,基板加热装置包括炉体,炉体内设有加热腔室,涂布有形成聚酰亚胺的溶液的待加热基板位于加热腔室内,加热器位于加热腔室内,当需要对待加热基板加热时,将涂布有聚酰亚胺溶液的待基板放入加热装置内,并在待加热基板的上下两侧均设置加热器,通过加热器加热待加热基板,使基板的相对两侧受热均匀,以达到加热待加热基板的目的,并在基板上形成聚酰亚胺膜。
然而,采用该基板加热装置加热基板时,在基板上形成的聚酰亚胺膜中存在气泡,导致聚酰亚胺膜的良率低。
实用新型内容
鉴于上述问题,本实用新型实施例提供一种基板加热装置,用于改善聚酰亚胺膜中存在的气泡,提高聚酰亚胺膜的良率。
为了实现上述目的,本实用新型实施例提供如下技术方案:
本实用新型实施例提供一种基板加热装置,其包括:炉体,所述炉体内设有加热腔室;加热部,所述加热部位于所述加热腔室内,且用于加热待加热基板,所述加热部位于所述待加热基板的一侧,所述加热部;隔热部,所述隔热部位于所述加热腔室内,且所述隔热部位于所述待加热基板的远离所述加热部的一侧,所述隔热部用于对所述待加热基板进行隔热,以使所述待加热基板上靠近所述加热部一侧与靠近所述隔热部一侧之间具有预设的温度差。
通过在待加热基板的相对两侧分别设置加热部和隔热部,即待加热基板位于加热部和隔热部之间,加热部加热待加热基板,以使基板的温度达到聚酰亚胺溶液固化形成聚酰亚胺膜的温度,而隔热部不加热基板,但对待加热基板进行保温,防止热量散发出去,以保证待加热基板靠近隔热部一侧的温度在聚酰亚胺固化的需求温度内,由于基板的一侧设有加热部加热基板,而另一侧只设有隔热部对基板进行隔热保温,因此,在待加热基板的相对两侧之间会形成一个温度差,待加热基板的相对两侧会在温度差的情况下发生冷热对流,这样,涂布在待加热基板上的聚酰亚胺溶液在固化过程中,聚酰亚胺产生的副产物等气体会随着冷热对流从形成的聚酰亚胺膜中脱离挥发出去,从而改善聚酰亚胺膜中存在气泡的现象,提高聚酰亚胺膜的良率。
在一种可选的实施方式中,所述加热部位于所述待加热基板的下方,所述隔热板位于所述待加热基板的上方。
在一种可选的实施方式中,还包括支撑架,所述加热部和所述隔热部位于所述支撑架上。
在一种可选的实施方式中,沿所述支撑架的竖直方向,所述支撑架上设有若干个格挡,至少两个相邻的所述格挡之间形成容纳空间,所述加热部和所述隔热部位于至少一个所述容纳空间内,且所述加热部位于靠近下方的格挡,所述隔热部位于靠近上方的所述格挡。
在一种可选的实施方式中,每一个所述容纳空间内均设有所述加热部和所述隔热部。
在一种可选的实施方式中,沿所述支撑架的竖直方向,还包括承载部,所述承载部位于所述加热部和所述隔热部之间,用于承载所述待加热基板;沿竖直方向,所述加热部在所述承载部上的正投影面积与所述待加热基板在所述承载部上的正投影面积相等。
在一种可选的实施方式中,所述隔热部与所述承载部之间具有预设间隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造