[实用新型]CVD处理系统有效

专利信息
申请号: 202022618984.3 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN213507189U 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 张森;费磊 申请(专利权)人: 宁波沁圆科技有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C23C16/54
代理公司: 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 代理人: 宋教花
地址: 315400 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: cvd 处理 系统
【说明书】:

实用新型提供一种CVD处理系统,所述系统包括:放片子系统、反应腔和取片子系统,所述放片子系统包括放片腔、放片传送腔和放片传输组件,所述放片传送腔位于所述放片腔和反应腔之间,所述放片传输组件位于所述放片传送腔内,所述放片传输组件用于将所述放片腔内的托盘及衬底输送至所述反应腔;所述取片子系统包括取片腔、取片传送腔和取片传输组件,所述取片传送腔位于所述反应腔与所述取片腔之间,所述取片传输组件位于所述取片传送腔内,所述取片传输组件用于将所述反应腔内的托盘及衬底输送至所述取片腔。该CVD处理系统避免了由于传输组件、取放片腔或传送腔微粒污染所造成的表面缺陷,提高了产品良品率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种CVD处理系统。

背景技术

CVD(化学气相沉积)是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术,随着半导体和集成电路技术发展和生产的需要,CVD技术得到了更迅速和广泛的发展。CVD技术不仅成为半导体级超纯硅原料-超纯多晶硅生产的唯一方法,而且也是硅单晶外延、砷化镓等III-V族半导体和II-VI族半导体单金外延的基本生产方法。

对于射频、电力电子及发光二极管领域,在蓝宝石、碳化硅、硅衬底上沉积GaN薄膜,或在碳化硅衬底上沉积碳化硅薄膜等,均对晶圆表面的外延材料的微颗粒物有明确要求;一般为了提高良品率,期望表面的微颗粒物越少越好,最好是零。例如,根据ISO9241标准,显示材料中的像素坏点率要低于2ppm,相应的CVD外延晶圆表面10X10mm范围内的表面缺陷(直径大于1微米的颗粒)要小于0.01/cm2。而目前最先进的有机物化学气相沉积(MOCVD)设备其制备材料表面缺陷的密度也仅为0.1/cm2,比行业标准大10倍,不能满足大规模生产要求。

根据研究发现,化学气相沉积设备中的微粒污染主要来源为:化学反应生成的微粒、腔体内部微粒物沉积层和托盘表面的涂层。化学反应的微粒可以通过优化材料生长过程中的工艺参数解决,腔体内部的涂层可以通入氯气(Cl2)对腔体内部进行清洗。另外,虽然托盘表面的涂层在使用之前也可以通过如高温烘烤、Cl2清洗和湿法清洗等方式清洗干净,但是使用后的托盘当从反应腔通过机械手传送回传送腔和取放片腔时,其表面的松散的涂层会对这些腔室以及机械手等产生微粒污染,导致后续衬底在接触或者进入这些腔体后,衬底表面会被动沉积一些微粒,从而影响后续材料生长的表面总体缺陷,降低产品的良品率。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供了一种CVD处理系统,以解决现有技术中存在的一个或多个问题。

根据本实用新型的一个方面,本实用新型公开了一种CVD处理系统,所述系统包括:放片子系统、反应腔和取片子系统,

所述放片子系统包括放片腔、放片传送腔和放片传输组件,所述放片传送腔位于所述放片腔和反应腔之间,所述放片传输组件位于所述放片传送腔内,所述放片传输组件用于将所述放片腔内的托盘及衬底输送至所述反应腔;

所述取片子系统包括取片腔、取片传送腔和取片传输组件,所述取片传送腔位于所述反应腔与所述取片腔之间,所述取片传输组件位于所述取片传送腔内,所述取片传输组件用于将所述反应腔内的托盘及衬底输送至所述取片腔;

其中,所述放片传送腔和所述取片传送腔位于所述反应腔的不同侧。

在本实用新型的一些实施例中,所述反应腔内设有用于支撑所述托盘的托盘支撑体和用于加热所述托盘的加热装置,所述托盘支撑体可做旋转运动。

在本实用新型的一些实施例中,所述放片腔和所述放片传送腔之间具有第一闸板阀,所述放片传送腔与所述反应腔之间设有第二闸板阀,所述反应腔与所述取片传送腔之间设有第三闸板阀,所述取片传送腔与所述取片腔之间设有第四闸板阀。

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