[实用新型]一种石英舟及硅片沉积装置有效
| 申请号： | 202022644709.9 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN213340306U | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 沈雯;张临安;杨慧;邓伟伟 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石英 硅片 沉积 装置 | ||
1.一种石英舟，其特征在于，包括：
沿X方向间隔设置的第一端板(11)和第二端板(12)；
至少两个支撑杆(2)，其一端与所述第一端板(11)连接，另一端与所述第二端板(12)连接；
沿所述X方向间隔相对设置的一对第一舟杆(31)，所述第一舟杆(31)与上部的所述支撑杆(2)连接，硅片(100)能沿所述X方向立设于一对所述第一舟杆(31)之间，且一对所述第一舟杆(31)能分别与所述硅片(100)的两侧边抵接；
第二舟杆(32)，所述第二舟杆(32)与下部的所述支撑杆(2)连接，一对所述第一舟杆(31)之间至少设置有一个所述第二舟杆(32)，所述第二舟杆(32)能与所述硅片(100)的底边抵接。
2.根据权利要求1所述的石英舟，其特征在于，沿所述X方向设置有多对所述第一舟杆(31)。
3.根据权利要求2所述的石英舟，其特征在于，相邻两对所述第一舟杆(31)中，靠近的两个所述第一舟杆(31)成一体式结构。
4.根据权利要求1所述的石英舟，其特征在于，所述第一舟杆(31)的侧部沿Y方向间隔设置有放置槽(33)，所述硅片(100)的侧边能置于所述放置槽(33)内。
5.根据权利要求1所述的石英舟，其特征在于，所述第二舟杆(32)的顶部设置沿Y方向间隔设置有承接槽(34)，所述硅片(100)的底边能置于所述承接槽(34)中。
6.根据权利要求1所述的石英舟，其特征在于，一对所述第一舟杆(31)对应有两个所述第二舟杆(32)，一对所述第一舟杆(31)靠近所述硅片(100)的顶边设置，两个所述第二舟杆(32)分别靠近所述硅片(100)的两侧边设置。
7.根据权利要求1所述的石英舟，其特征在于，所述第一端板(11)和/或所述第二端板(12)上设置有通气孔(13)。
8.根据权利要求1-7任一项所述的石英舟，其特征在于，所述第一端板(11)和所述第二端板(12)的下边均有设置定位凸起(14)。
9.根据权利要求1-7任一项所述的石英舟，其特征在于，所述第一端板(11)远离所述第二端板(12)的一面设置有第一搬运柱(15)，所述第二端板(12)远离所述第一端板(11)的一面设置有第二搬运柱(16)，所述第二搬运柱(16)与所述第一搬运柱(15)对应设置。
10.一种硅片沉积装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的石英舟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022644709.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多功能自动化仪表箱
- 下一篇：一种基于标准温度源的红外热成像温度修正装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
