[实用新型]一种ESOP8芯片双基岛结构有效

专利信息
申请号: 202022652632.X 申请日: 2020-11-17
公开(公告)号: CN213124429U 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 韩开宇 申请(专利权)人: 中山市东翔微电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/055
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528400 广东省中*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 esop8 芯片 双基岛 结构
【权利要求书】:

1.一种ESOP8芯片双基岛结构,包括塑封体(1),其特征在于:所述塑封体(1)正面的顶部的左右两侧均固定连接有基岛(3),所述塑封体(1)正面的右侧开设有定位孔(4),所述塑封体(1)正面的正面与底部均水平横向等距离固定连接有引脚(2)。

2.根据权利要求1所述的一种ESOP8芯片双基岛结构,其特征在于:所述塑封体(1)背部中央的左右两侧均固定连接有散热块(6),所述散热块(6)的背部沿水平纵向等距离开设有散热口。

3.根据权利要求1所述的一种ESOP8芯片双基岛结构,其特征在于:所述基岛(3)的底部且与塑封体(1)连接处的顶部固定连接套接有绝缘层(5),所述塑封体(1)正面顶部的中央且位于两个基岛(3)之间的位置处固定连接有绝缘板。

4.根据权利要求1所述的一种ESOP8芯片双基岛结构,其特征在于:所述引脚(2)侧面的形状为侧面的形状为向下弯曲的曲线,所述引脚(2)的内腔中设有接引线。

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