[实用新型]一种ESOP8芯片双基岛结构有效

专利信息
申请号: 202022652632.X 申请日: 2020-11-17
公开(公告)号: CN213124429U 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 韩开宇 申请(专利权)人: 中山市东翔微电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/055
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528400 广东省中*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 esop8 芯片 双基岛 结构
【说明书】:

本实用新型涉及芯片技术领域,具体揭示了一种ESOP8芯片双基岛结构,包括塑封体,塑封体正面的顶部的左右两侧均固定连接有基岛,塑封体正面的右侧开设有定位孔,塑封体正面的正面与底部均水平横向等距离固定连接有引脚。本实用新型通过定位孔的结构设计,能够使该塑封体具有快速散热的能力,再通过基岛与绝缘层以及塑封体中央设计的绝缘板的结构设计,能够隔绝两个基岛之间会相互传递电流的情况,再通过散热片与塑封体之间的结构设计,能够使散热片可以之间对塑封体进行散热,从而使该ESOP8芯片双基岛结构达到了能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流,从而加快芯片的散热速度的目的。

技术领域

本实用新型涉及芯片技术领域,具体为一种ESOP8芯片双基岛结构。

背景技术

将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路。另有一种厚膜集成电路是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路就是芯片。

目前,现有的ESOP8芯片在工作时两个基岛之间会相互传递电流,从而导致芯片的温度上升过快,现发明一种ESOP8芯片双基岛结构,能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流,从而加快芯片的散热速度。

实用新型内容

针对现有技术的不足,本实用新型提供一种ESOP8芯片双基岛结构,具备能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流,从而加快芯片的散热速度等优点,解决了现有的ESOP8芯片在工作时两个基岛之间会相互传递电流,从而导致芯片的温度上升过快的问题。

本实用新型的一种ESOP8芯片双基岛结构,包括塑封体,塑封体正面的顶部的左右两侧均固定连接有基岛,塑封体正面的右侧开设有定位孔,塑封体正面的正面与底部均水平横向等距离固定连接有引脚。

本实用新型的一种ESOP8芯片双基岛结构,其中塑封体背部中央的左右两侧均固定连接有散热块,散热块的背部沿水平纵向等距离开设有散热口。该设计有益于能加快散热块的散热速度。

本实用新型的一种ESOP8芯片双基岛结构,其中基岛的底部且与塑封体连接处的顶部固定连接套接有绝缘层,塑封体正面顶部的中央且位于两个基岛之间的位置处固定连接有绝缘板,该设计有益于能有效防止两个基岛之间会相互传递电流。

本实用新型的一种ESOP8芯片双基岛结构,其中引脚侧面的形状为侧面的形状为向下弯曲的曲线,引脚的内腔中设有接引线,该设计有益于方便工作人员将塑封体固定在机器内。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

本实用新型通过定位孔的结构设计,能够使该塑封体具有快速进行定位安装的能力,再通过基岛与绝缘层以及塑封体中央设计的绝缘板的结构设计,能够隔绝两个基岛之间会相互传递电流的情况,再通过散热片与塑封体之间的结构设计,能够使散热片可以之间对塑封体进行散热,从而使该ESOP8芯片双基岛结构达到了能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流,从而加快芯片的散热速度的目的。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:

图1为本实用新型正面整体结构示意图;

图2为本实用新型侧面整体结构示意图;

图3为本实用新型侧面俯视面结构示意图;

图4为本实用新型塑封体背部结构示意图。

图中:1、塑封体;2、引脚;3、基岛;4、定位孔;5、绝缘层;6、散热块。

具体实施方式

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