[实用新型]晶舟结构有效
申请号: | 202022664501.3 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN213519900U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 林博文 | 申请(专利权)人: | 凯乐士股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 赵梦雯;艾晶 |
地址: | 中国台湾桃园市杨*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 | ||
1.一种晶舟结构,适用于承载至少一晶圆(50),其特征在于,包括:
一无压烧结碳化硅底座(10);
一无压烧结碳化硅支撑装置(20),具有复数个支撑部(21),其间隔连接于该无压烧结碳化硅底座(10),且该些支撑部(21)与该无压烧结碳化硅底座(10)之间具有一容置空间(40),以供容置该晶圆(50);以及
复数个无压烧结碳化硅凸肋(30),其间隔设置于每一该支撑部(21)上,位于每一该支撑部(21)上的该些无压烧结碳化硅凸肋(30)的位置彼此水平对应设置,使该晶圆(50)的周缘嵌合于相邻的该无压烧结碳化硅凸肋(30)之间。
2.如权利要求1所述的晶舟结构,其特征在于,该无压烧结碳化硅底座(10)、该无压烧结碳化硅支撑装置(20)与该些无压烧结碳化硅凸肋(30)一体成型。
3.如权利要求1所述的晶舟结构,其特征在于,相邻的该无压烧结碳化硅凸肋(30)之间具有一嵌合部(31)。
4.如权利要求1所述的晶舟结构,其特征在于,该无压烧结碳化硅底座(10)具有一上底座(11)与一下底座(12),该上底座(11)与该下底座(12)为相对应设置,该些支撑部(21)垂直间隔环绕连接于该上底座(11)与该下底座(12)之间,以形成一立式晶舟结构,使该上底座(11)、该下底座(12)与该些支撑部(21)之间具有该容置空间(40)。
5.如权利要求4所述的晶舟结构,其特征在于,相对位置的该些支撑部(21)上设置有至少一固定部(60)。
6.如权利要求1所述的晶舟结构,其特征在于,该无压烧结碳化硅底座(10)包括一弧面形成本体(13)以及间隔连接于该弧面形成本体(13)下方位置的复数个定位件(131),该弧面形成本体(13)具有一弧面基准部(132),该弧面基准部(132)的侧面呈弧形状,该些支撑部(21)沿着该弧面基准部(132)水平间隔设置,以形成一卧式晶舟结构(200),该些支撑部(21)位于该弧面形成本体(13)上方位置,且每一该支撑部(21)位置相对应该每一该定位件(131),使该弧面形成本体(13)与该些支撑部(21)之间具有该容置空间(40)。
7.如权利要求6所述的晶舟结构,其特征在于,该弧面形成本体(13)、该些定位件(131)与该些支撑部(21)为一体成型。
8.如权利要求1所述的晶舟结构,其特征在于,该无压烧结碳化硅底座(10)具有两对称的侧座(14),该侧座(14)由一平面部(141)及自该平面部(141)的两侧向上延伸的一倾斜部(142)所构成,该侧座(14)具有贯穿上、下表面的复数个第一对接部(143),该些支撑部(21)水平间隔连接于两该侧座(14)之间,以形成一卧式晶舟结构(200),每一该支撑部(21)的两端具有一第二对接部(211),该些第一对接部(143)的位置分别对应连接于每一该第二对接部(211)的位置。
9.如权利要求8所述的晶舟结构,其特征在于,该第一对接部(143)与该第二对接部(211)为相匹配的枢接孔,利用一枢接件(70)枢接于该枢接孔中,使两该侧座(14)与该些支撑部(21)形成连接固定。
10.如权利要求9所述的晶舟结构,其特征在于,该枢接件(70)为无压烧结碳化硅制成的螺丝、螺栓或插销,该枢接件(70)与该枢接孔为相配合连接组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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