[实用新型]晶舟结构

说明书

本实用新型揭露一种晶舟结构，适用于承载晶圆。包括无压烧结碳化硅支撑装置具有复数个支撑部，其间隔连接于无压烧结碳化硅底座，且此些支撑部与无压烧结碳化硅底座之间具有一容置空间，以供容置晶圆。复数个无压烧结碳化硅凸肋间隔设置于每一支撑部上，位于每一支撑部上的此些无压烧结碳化硅凸肋的位置彼此水平对应设置，使晶圆的周缘嵌合于相邻的无压烧结碳化硅凸肋之间。整体组件借由无压烧结碳化硅所制成，具有耐高温、抗腐蚀性和抗HF酸的优点，且因无需于材料表面镀CVD‑SiC薄膜，避免在应用制程中因CVD薄膜剥落而形成的细微粒(particle)问题。

技术领域

本实用新型是有关于一种晶舟结构，特别是有关于一种整体所有组成构件都是使用无压烧结碳化硅所制成的晶舟结构。

背景技术

目前石墨晶舟的制造方法是在石墨晶舟表面用化学气相沉积方式(CVD)涂覆一层碳化硅层，然而石墨体和碳化硅层之间的热膨胀系数不匹配，在制成过程中，碳化硅层在几次的升降温度使用后容易产生剥落现象，尤其在自动化运输过程中的碰撞，碳化硅层剥落后会将石墨体曝露在环境中，不仅会让腐蚀性气体或液体进入多孔性的石墨体而产生破坏，进而导致高温制程中产生细微粒(particle)的问题。

续就再结晶的晶舟，先将各部件预先成形、烧结、加工，接着将各部件于高温下以硅膏接合成晶舟，最后再利用CVD涂覆一层碳化硅层。然而再结晶的晶舟存在几个缺点:第一，各部件结合处的硅膏无法承受高温；第二，碳化硅层在几次的升降温度使用后容易产生剥落现象，进而产生细微粒问题。

为因应如上所述制程所产生的问题，业者提出一种反应烧结碳化硅的方式制作晶舟，无须经过CVD涂覆一层碳化硅层的制程。但是反应烧结碳化硅又称渗硅烧结碳化硅，是指多孔质碳化硅生坯中将气相或液相的硅渗入反应，提高碳化硅坯体质量，减少气孔，并以一定的强度和尺寸精度烧结成品，因此反应烧结碳化硅具有非常坚硬的特性，不容易加工，导致制造成本极高。再者，反应烧结碳化硅含有10-15%的游离硅成分，无法承受高温，且使用后因酸洗过程容易被HF酸蚀刻而产生毛孔，藏存于毛孔中细微粒在制程中极易引起细微粒问题。因此，如何提升晶舟制作的便利性、降低成本、解决细微粒掉落以及避免后续应用制程中引起细微粒是亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于上述习知技艺的问题，本实用新型所解决的技术问题就是提供一种无压烧结碳化硅所制成的晶舟结构，具有耐高温、抗腐蚀性和抗HF酸的优点，且可避免在应用制程中因CVD薄膜剥落而产生的细微粒问题。

本实用新型所采用的技术手段如下所述。

根据本实用新型的目的，提出一种晶舟结构，适用于承载至少一晶圆，晶舟结构包括一无压烧结碳化硅底座、一无压烧结碳化硅支撑装置以及复数个无压烧结碳化硅凸肋。无压烧结碳化硅支撑装置具有复数个支撑部，复数个支撑部间隔连接于无压烧结碳化硅底座，且此些支撑部与无压烧结碳化硅底座之间具有一容置空间，以供容置晶圆。无压烧结碳化硅凸肋间隔设置于每一支撑部上，位于每一支撑部上的此些无压烧结碳化硅凸肋的位置彼此水平对应设置，使晶圆的周缘嵌合于相邻的无压烧结碳化硅凸肋之间。

依据上述技术特征，其中该无压烧结碳化硅底座、该无压烧结碳化硅支撑装置与该些无压烧结碳化硅凸肋一体成型。

依据上述技术特征，其中该相邻的该无压烧结碳化硅凸肋之间具有一嵌合部。

依据上述技术特征，其中该无压烧结碳化硅底座具有一上底座与一下底座，该上底座与该下底座为相对应设置，此些支撑部垂直间隔环绕连接于该上底座与该下底座之间，以形成一立式晶舟结构，使该上底座、该下底座与该些支撑部之间具有该容置空间。

依据上述技术特征，其中相对位置的该些支撑部上更设置有至少一固定部。