[实用新型]一种刻蚀机有效
申请号: | 202022665670.9 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN213752635U | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 罗治亮;张天翼;刘欢 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 邵磊;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 | ||
1.一种刻蚀机,其特征在于,包括:
刻蚀室,配置为对半导体进行刻蚀;以及
加热室,配置为对完成刻蚀的半导体加热。
2.根据权利要求1所述的刻蚀机,其特征在于,所述加热室包括加热室主体以及位于加热室主体内的加热装置,所述加热室主体配置为接收完成刻蚀的半导体,所述加热装置配置为对所述加热室主体内的半导体加热。
3.根据权利要求2所述的刻蚀机,其特征在于,所述加热装置包括:
加热器,所述加热器配置为对完成刻蚀的半导体加热;以及
支架,承载所述加热器。
4.根据权利要求3所述的刻蚀机,其特征在于,所述加热器配置为与完成刻蚀的半导体接触加热。
5.根据权利要求4所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀室配置为对半导体的一侧进行刻蚀,所述加热器配置为与完成刻蚀的半导体的另一侧接触加热。
6.根据权利要求1~5任一项所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀机还包括依次密封连接的负压转送室、气压过渡室以及半导体存取过渡室,半导体存取过渡室与外界连通,所述刻蚀室内的气压为负压,所述负压转送室与所述刻蚀室密封连接;所述负压转送室配置为接收所述刻蚀室内完成刻蚀的半导体,并将所述刻蚀室内完成刻蚀的半导体转送至气压过渡室;所述加热室配置为接收所述气压过渡室内完成刻蚀的半导体,并对从气压过渡室接收到的半导体加热;
所述气压过渡室分别与所述负压转送室和所述半导体存取过渡室选择性地连通。
7.根据权利要求6所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀机还包括过渡转送室,所述过渡转送室配置为接收所述气压过渡室内完成刻蚀的半导体,并将接收到的完成刻蚀的半导体转送至所述加热室。
8.根据权利要求7所述的刻蚀机,其特征在于,所述过渡转送室包括过渡转送室主体以及位于过渡转送室主体内的第一转送机器人,所述第一转送机器人配置为分别对所述气压过渡室和所述加热室取放半导体。
9.根据权利要求7所述的刻蚀机,其特征在于,所述加热室、所述过渡转送室以及所述气压过渡室依次密封连接;所述加热室和所述过渡转送室内的气压为负压;
所述气压过渡室分别与所述加热室以及所述半导体存取过渡室选择性地连通。
10.根据权利要求1~5任一项所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀室配置为能够在所述半导体上刻蚀形成孔或沟槽,所述孔或沟槽的深宽比大于10:1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造