[实用新型]一种刻蚀机

说明书

本申请实施例提供本一种刻蚀机，包括刻蚀室和加热室，通过加热室对完成刻蚀的半导体进行加热，使得位于刻蚀出的孔或沟槽底部的可能造成凝结缺陷的气体排出，缓解甚至避免了凝结缺陷的形成。半导体放回初始的拾取位置，由于刻蚀出的孔或沟槽底部的可能造成凝结缺陷的气体已基本排出，放回初始的拾取位置的半导体的孔或沟槽内基本上没有可能造成凝结缺陷的气体散逸到其它半导体，避免了其它半导体受到散逸出的可能造成凝结缺陷的气体的影响而产生凝结缺陷。因此，半导体的允许等待时间延长，有利于完成同一批次的所有半导体的刻蚀后，再将同一批次的所有半导体转移至下一个工序，保证了产品的品质。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种刻蚀机。

背景技术

半导体通常逐批次的加工，在一个工艺节点对同一批次的所有半导体加工完成后，再将该批次的半导体送入下一个工艺节点继续对半导体进行下一步的加工。在刻蚀的工艺节点，需对同一批次的半导体逐片拾取，并在加工完成后将半导体放回，这样，半导体完成刻蚀到同一批次的所有半导体一起进入下一个工艺节点之间会有一段等待时间。随着技术的发展，半导体刻蚀的复杂度增加，半导体的蚀刻时间增长，半导体的允许等待时间难以满足同一批次的半导体的加工需求，同一批次的半导体中，在先完成刻蚀的半导体的等待时间可能超出半导体的允许等待时间，影响半导体的品质。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例期望提供一种刻蚀机，以提高半导体的允许等待时间。

为达到上述目的，本申请实施例一方面提供一种刻蚀机，包括：

刻蚀室，配置为对半导体进行刻蚀；以及

加热室，配置为对完成刻蚀的半导体加热。

一实施例中，所述加热室包括加热室主体以及位于加热室主体内的加热装置，所述加热室主体配置为接收完成刻蚀的半导体，所述加热装置配置为对所述加热室主体内的半导体加热。

一实施例中，所述加热装置包括：

加热器，所述加热器配置为对完成刻蚀的半导体加热；以及

支架，承载所述加热器。

一实施例中，所述加热器配置为与完成刻蚀的半导体接触加热。

一实施例中，所述刻蚀室配置为对半导体的一侧进行刻蚀，所述加热器配置为与完成刻蚀的半导体的另一侧接触加热。

一实施例中，所述刻蚀机还包括依次密封连接的负压转送室、气压过渡室以及半导体存取过渡室，半导体存取过渡室与外界连通，所述刻蚀室内的气压为负压，所述负压转送室与所述刻蚀室密封连接；所述负压转送室配置为接收所述刻蚀室内完成刻蚀的半导体，并将所述刻蚀室内完成刻蚀的半导体转送至气压过渡室；所述加热室配置为接收所述气压过渡室内完成刻蚀的半导体，并对从气压过渡室接收到的半导体加热；

所述气压过渡室分别与所述负压转送室和所述半导体存取过渡室选择性地连通。

一实施例中，所述刻蚀机还包括过渡转送室，所述过渡转送室配置为接收所述气压过渡室内完成刻蚀的半导体，并将接收到的完成刻蚀的半导体转送至所述加热室。

一实施例中，所述过渡转送室包括过渡转送室主体以及位于过渡转送室主体内的第一转送机器人，所述第一转送机器人配置为分别对所述气压过渡室和所述加热室取放半导体。

一实施例中，所述加热室、所述过渡转送室以及所述气压过渡室依次密封连接；所述加热室和所述过渡转送室内的气压为负压；

所述气压过渡室分别与所述加热室以及所述半导体存取过渡室选择性地连通。

一实施例中，所述刻蚀室配置为能够在所述半导体上刻蚀形成孔或沟槽，所述孔或沟槽的深宽比大于10:1。