[实用新型]MEMS器件有效
| 申请号： | 202022675145.5 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN214528128U | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 孟燕子;李刚;孙恺;荣根兰 | 申请（专利权）人： | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
1.一种MEMS器件，包括：
衬底，所述衬底具有第一空腔；
第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，所述第一牺牲层中具有第二空腔；
振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑，所述振膜层包括位于所述第二空腔上方的振膜；
第二牺牲层，位于所述振膜上，所述第二牺牲层具有第三空腔；
背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，
其特征在于，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述多个堆叠的通孔的直径沿所述衬底的第一表面至第二表面依次减小。
3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一空腔与所述衬底的第一表面的相交处呈直角或弧形。
4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第二空腔的中心线与所述第一空腔的中心线重合。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第三空腔的中心线与所述第一空腔的中心线重合。
6.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述背极板层包括下背极板，位于所述下背极板上的上背极板以及贯穿所述下背极板和上背极板的声孔。
7.根据权利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述背极板层还包括：位于所述下背极板的第二表面上的防粘结构。
8.根据权利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述上背极板沿所述衬底第一表面上的长度小于所述下背极板沿所述衬底第一表面上的长度。
9.根据权利要求8所述的MEMS器件，其特征在于，还包括：位于所述上背极板第一表面上的第一电极和位于所述下背极板第一表面上的第二电极。
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