[实用新型]MEMS器件

说明书

公开了一种MEMS器件，包括：衬底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述振膜上，具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。本申请的MEMS器件，衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜层且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，特别涉及一种MEMS 器件。

背景技术

随着MEMS器件应用和技术的成熟，市场对MEMS器件的可靠性和灵敏度提出了更高的要求。现阶段MEMS器件芯片的第一空腔是通过 ICP单步刻蚀工艺制得，该工艺自身的缺陷会导致第一空腔靠近衬底上侧的刻蚀形貌，出现大小不一的锯齿，当振膜受到冲击发生大变形时，振膜和锯齿接触，在接触区域振膜发生应力集中，进而导致振膜破裂，使得MEMS器件芯片失效。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种MEMS器件，该 MEMS器件衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔采用快速释放而得到，从而使得第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效。

根据本实用新型的一方面，提供一种MEMS器件，包括：衬底，所述衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，所述第一牺牲层中具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑，所述振膜层包括位于所述第二空腔上方的振膜；第二牺牲层，位于所述振膜上，所述第二牺牲层具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。

可选地，所述多个堆叠的通孔的直径沿所述衬底的第一表面至第二表面依次减小。

可选地，所述第一空腔与所述衬底的第一表面的相交处呈直角或弧形。

可选地，所述多个通孔的截面形状相同或者不同。

可选地，所述通孔的截面形状为圆形，三角形或多边形。

可选地，所述第二空腔的中心线与所述第一空腔的中心线重合。

可选地，所述第三空腔的中心线与所述第一空腔的中心线重合。

可选地，所述背极板层包括下背极板，位于所述下背极板上的上背极板以及贯穿所述下背极板和上背极板的声孔。

可选地，所述背极板层还包括：位于所述下背极板的第二表面上的防粘结构。

可选地，所述上背极板沿所述衬底第一表面上的长度小于所述下背极板沿所述衬底第一表面上的长度。

可选地，还包括：位于所述上背极板第一表面上的第一电极和位于所述下背极板第一表面上的第二电极。

可选地，所述第一电极与所述上背极板电连接，所述第二电极与所述振膜层电连接。

可选地，所述第一空腔中与所述衬底第一表面相交的通孔通过腐蚀释放形成，其余通孔由ICP刻蚀形成。