[实用新型]一种高密度十引脚集成电路引线框架有效

专利信息
申请号: 202022677804.9 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN213692036U 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 潘龙慧;冯军民;江焕辉 申请(专利权)人: 宁波德洲精密电子有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 代理人: 陈怡菁
地址: 315194 浙江省宁波*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 高密度 引脚 集成电路 引线 框架
【权利要求书】:

1.一种高密度十引脚集成电路引线框架,包括框架基板和多列纵向分布的引线框架组,多列所述的引线框架组之间间隔设置并通过纵向筋连接,其特征在于,每列所述的引线框架组内排布有12×2个引线框架单元,所述的引线框架单元包括基岛和分布在所述的基岛外侧的十个引脚,所述的引脚的宽度范围在0.16-0.4mm。

2.根据权利要求1所述的一种高密度十引脚集成电路引线框架,其特征在于,十个所述的引脚分成两组,分别呈对称分布在所述的基岛的上下两侧,同一侧五个所述的引脚之间通过横筋连接,每个所述的引脚的内端部均设置有焊点,所述的引脚的外端向所述的基岛的上下两侧延伸,所述的引脚包括设置在外端的四个第一类引脚和设置在中部的六个第二类引脚。

3.根据权利要求2所述的一种高密度十引脚集成电路引线框架,其特征在于,所述的第二类引脚具有相同的宽度,宽度为0.200±0.025mm,所述的第二类引脚的焊点呈T字型,宽度为0.700±0.025mm,相邻所述的第二类引脚之间的间距为0.996±0.035mm。

4.根据权利要求3所述的一种高密度十引脚集成电路引线框架,其特征在于,所述的第一类引脚由端部、中部和基部构成,所述的第一类引脚的基部呈长方形,沿所述引线框架单元的水平方向,宽度与所述的第二类引脚的宽度相同,为0.200±0.025mm,所述的第一类引脚的中部呈直角梯形,宽度大于基部的宽度,为0.4481±0.025mm,所述的第一类引脚的端部为长方形焊点,宽度为0.3027±0.025mm。

5.根据权利要求4所述的一种高密度十引脚集成电路引线框架,其特征在于,所述的第一类引脚的基部、所述的第二类引脚的上表面和下表面上均设置有预切槽,所述的预切槽的横截面为三角形,所述的预切槽的开口角度为60°,开口深度为0.010-0.038mm,上表面的预切槽和下表面的预切槽之间的间距为0.050mm。

6.根据权利要求2所述的一种高密度十引脚集成电路引线框架,其特征在于,上下相邻的所述的引线框架单元之间通过引脚延伸部连接,所述的引脚延伸部的一端连接所述的引脚,另一端连接所述的横筋,其中连接上方所述的引线框架单元的称为第一引脚延伸部,连接下方所述的引线框架单元的称为第二引脚延伸部,所述的第一引脚延伸部与所述的第二引脚延伸部交错排列,所述的第一引脚延伸部与所述的第二引脚延伸部之间的最小间距为0.200±0.025mm,每个所述的第一引脚延伸部与所述的第二引脚延伸部的重复单元的宽度为1.0008±0.025mm。

7.根据权利要求1所述的一种高密度十引脚集成电路引线框架,其特征在于,同一列所述的引线框架组内水平放置的基岛之间、所述的基岛与所述的纵向筋之间连接有基岛连接筋,所述的基岛向下凹陷,使所述的基岛与所述的引脚之间的深度差为0.110±0.025mm,所述的基岛的厚度为0.203±0.008mm,所述的基岛连接筋与所述的基岛的连接部呈30°斜坡。

8.根据权利要求1所述的一种高密度十引脚集成电路引线框架,其特征在于,上下相邻的所述的引线框架单元之间的中心距为6.05~6.15mm,同一列所述的引线框架组内左右相邻的引线框架单元之间的中心距为6.00~6.10mm。

9.根据权利要求1所述的一种高密度十引脚集成电路引线框架,其特征在于,每个所述的纵向筋上分别开设有多个用于释放注胶时应力的通孔。

10.根据权利要求1所述的一种高密度十引脚集成电路引线框架,其特征在于,所述的框架基板的上下两边分别开设有多个圆形或椭圆形定位孔。

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