[实用新型]一种埋阻金属箔有效
| 申请号： | 202022692710.9 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN214014626U | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 苏陟;高强 | 申请（专利权）人： | 广州方邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/11 | 分类号： | H05K1/11;H05K1/05 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 麦小婵;郝传鑫 |
| 地址： | 510530 广东省广州市广州高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 | ||
【权利要求书】：
1.一种埋阻金属箔，其特征在于，包括载体层、剥离层和埋阻金属箔本体，所述埋阻金属箔本体包括电阻层和导电层，所述剥离层设在所述载体层的一面上，所述电阻层设于剥离层和所述导电层之间，且所述导电层镀设于所述电阻层远离所述载体层的一面上。
2.如权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述电阻层与所述导电层之间设有间隔分布的多个第一金属颗粒和/或由多个第二金属颗粒团簇而成的金属团簇。
3.如权利要求2所述的埋阻金属箔，其特征在于，多个所述第一金属颗粒和/或多个所述第二金属颗粒团簇而成的金属团簇均匀分布在电阻层与导电层之间。
4.如权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述电阻层通过采用化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的任意一种工艺在所述剥离层远离所述载体层的一面上形成。
5.如权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述载体层和所述电阻层之间的剥离力小于3N/cm2。
6.如权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述导电层的厚度为2微米至20微米。
7.如权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述导电层为铝、银、铜、金中的任意一种。
8.如权利要求1所述的埋阻金属箔，其特征在于，所述导电层的导电率为所述电阻层的导电率的2-1000倍。
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